IRFR3607TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-252-3(DPAK)
包装 :
编带
重量 :
0.481g
描述 :
场效应管(MOSFET) 140W 75V 56A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
24(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.16按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.16
--
100+
￥2.44
--
1000+
￥2.12
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFR3607TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 56A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 46A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 84nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3070pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR3607TRPBF手册
无数据
IRFR3607TRPBF概述
产品概述：IRFR3607TRPBF
1. 产品基本信息
IRFR3607TRPBF 是一种高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），其以 TO-252-3（D-Pak）封装形式提供。由著名品牌 Infineon（英飞凌）生产，这款器件具有卓越的电气特性和良好的热管理能力，适用于多种高功率电子应用。
2. 关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 75V
- 连续漏极电流（Id）: 56A（在晶体管壳体温度 Tc = 25°C 时）
- 最大功率耗散: 140W（在 Tc = 25°C 时）
- 最大导通电阻 (Rds On):
- 9毫欧 @ 10V 和 46A 条件下
- 阈值电压 (Vgs(th)):
- 最大值为4V @ 100µA
- 栅极电荷 (Qg):
- 最大值为84nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss):
- 最大值为3070pF @ 50V
- 工作温度范围:
- -55°C 到 175°C（TJ）
- 栅极驱动电压:
- 最大 Vgs 为 ±20V
3. 应用场景
IRFR3607TRPBF 适用于各种功率转换和控制场合，例如：
- DC-DC 转换器：高频开关模式电源中需要快速反应的开关元件。
- 马达驱动器：用于电机控制电路，能够承受高电流和高电压。
- 电源管理：在电源分配等应用中，保证电效率和热性能。
- 工业自动化：广泛应用于工业设备的功率调节和控制。
4. 性能优势
IRFR3607TRPBF 的设计专注于性能与可靠性的平衡：
- 低导通电阻：极低的 Rds On 值（9毫欧）在高负载情况下能够显著降低功率损耗，提升整体能源效率。
- 宽工作温度范围：-55°C 到 175°C 的工作温度范围，使其可在极端环境条件下稳定工作，适合航空航天和工业应用。
- 高功率处理能力：高达140W的功率耗散能力，使其适用于对功率有高要求的设备。
- 高频性能：快速的栅极电荷 Qg（84nC）确保在高频操作中表现优越，有助于减小开关损耗。
5. 安装与兼容性
IRFR3607TRPBF 采用 D-Pak 表面贴装封装，便于自动化生产线的布局和焊接。该封装形式有效散热，延长了器件的使用寿命。此外，这种封装还与许多电路板设计兼容，使产品具有一定的通用性。
6. 结论
综上所述，IRFR3607TRPBF 是一款高效率、高稳定性并具备广泛应用前景的 N 通道 MOSFET。依赖于其卓越的电气参数和耐高温性能，IRFR3607TRPBF 为各种高功率电子设备提供了理想的解决方案。无论是在电源转换、马达驱动还是工业自动化领域，其性能都能满足用户的高标准需求。选择 IRFR3607TRPBF，意味着选择了可靠性与效率并存的先进电源管理方案。