IRFPC50PBF
IRFPC50PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 600mΩ @ 6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 180W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 140nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2700pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 180W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFPC50PBF手册
IRFPC50PBF概述
IRFPC50PBF 产品概述
产品简介
IRFPC50PBF是由VISHAY（威世）公司生产的一款高性能N沟道场效应管（MOSFET），其具有600V的漏源电压（Vdss），在25°C环境下能提供高达11A的连续漏极电流（Id）。该产品的设计旨在满足各种高压、高电流应用的需求，广泛应用于开关电源、马达驱动、DC-DC变换器和逆变器等领域。
关键参数
漏源电压 (Vdss): 该MOSFET的最大漏源电压为600V，适合在高电压环境下工作的电子设备，确保其在工业和消费类应用中的稳定性和可靠性。
连续漏极电流 (Id): 在25°C的环境温度下，IRFPC50PBF能够承受最大11A的漏极电流，这使得它在处理较高负载时能够稳定工作。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该产品的栅源极阈值电压为4V @ 250µA，较低的阈值电压使得MOSFET能在较低的控制电压下启用，方便与微控制器或数字电路接口。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在6A和10V的条件下，IRFPC50PBF的漏源导通电阻为600mΩ。较低的导通电阻能够显著减少在工作时的功率损失，提高电路的整体效率。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散为180W（在接合温度Tc为25°C时），使其具有很强的热管理能力，能够在高功率设备中充分发挥作用。
工作温度范围: IRFPC50PBF的工作温度范围为-55°C至150°C，确保在极端环境下也能正常运行。
封装类型: 该产品采用TO-247-3封装，适合通孔安装，便于散热处理和PCB布局。
应用场景
IRFPC50PBF适用于多种高功率应用场景，包括但不限于：
开关电源: 在现代电子产品中，开关电源是用于电源转换的核心组件之一。IRFPC50PBF的高电压和电流承载能力使其在此应用中表现优异。
马达驱动: MOSFET的高开关速度和能量效率使其成为电动机驱动控制电路的理想选择，能够有效调节马达的运转。
DC-DC变换器: 用于电源转换的电路，IRFPC50PBF可以作为开关元件，配合其他组件高效实现能量转换功能。
逆变器: 在可再生能源应用（如太阳能和风能系统）中，IRFPC50PBF可以用于将直流电转换为交流电，推动电网或电动机的运行。
总结
作为一款高效、功能强大的高压N沟道MOSFET，IRFPC50PBF通过其出众的电气性能和广泛的适用性，成为电子设计工程师和工业应用中的理想选择。这款器件在众多应用中展示了优越的功率处理能力和效率，助力现代电子设备的高效能和持久可靠性。通过合理的选型和设计，工程师可以在各种仿真和实际工作条件下充分发挥IRFPC50PBF的优势，推动新一代电子产品的发展。