IRFP460LCPBF
IRFP460LCPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 270mΩ @ 12A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 280W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 120nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3600pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 280W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP460LCPBF手册
IRFP460LCPBF概述
IRFP460LCPBF 产品概述
产品简介
IRFP460LCPBF 是一个高性能的 N 沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）提供。该器件在电力电子应用中表现出了极高的可靠性与效率，适合用于各种高电压、高电流的场合，如电源管理、逆变器、电机驱动和高频切换电路等。
基本参数
IRFP460LCPBF 的主要电气参数包括漏源电压（Vdss）达到 500V，允许的连续漏极电流（Id）在 25°C 时为 20A，并具有 280W 的最大功率耗散能力（在 Tc 条件下）。这使得它能够在高频率和高温环境中稳定工作。
电气特性
- 漏源电压 Vdss：500V
- 连续漏极电流 Id (25°C)：20A
- 栅源极阈值电压 Vgs(th)：4V @ 250μA，表示在此电压下，MOSFET 开始导通。
- 漏源导通电阻 Rds(on)：270mΩ @ 12A，10V，这一特性确保了其在开启状态下的低导通损耗，优化了功率传输效率。
- 最大栅极驱动电压 Vgs：±30V，确保器件稳定工作，不会因过压而损坏。
- 输入电容 Ciss：3600pF @ 25V，影响开关速度和频率响应。
- 栅极电荷 Qg：120nC @ 10V，这一参数与开关速度相关，对高频应用尤为关键。
工作环境
IRFP460LCPBF 可以在-55°C 到 150°C 的宽广温度范围内工作，适应严苛的工业环境。这一特性确保了它在高温和低温下的稳定性，适合各种应用场景。
封装和安装
该 MOSFET 采用 TO-247-3 封装，设计为通孔安装。TO-247 封装不仅具备出色的散热性能，还易于布局与安装。在实际应用中，其坚固的封装形式能够承受较大的机械压力和温度变动，确保长期稳定的电气连接。
应用领域
IRFP460LCPBF 被广泛应用于以下领域：
- 电源管理：用于高效率的开关电源和稳压电源中，实现高功率输出。
- 逆变器：在太阳能逆变器和电动汽车中的应用，能够实现直流到交流的高效转换。
- 电机驱动：适合电动机的控制与驱动，例如无刷直流电动机（BLDC）和步进电机。
- 高频开关电路：被应用于高频开关变换器中，以提升开关频率和总体系统效率。
竞争优势
IRFP460LCPBF 具备优良的导通电阻、快速的开关响应及高的功率处理能力，能够满足现代电子设计对性能、效率和可靠性的严苛要求。此外，VISHAY 作为行业内享有盛誉的品牌，为用户提供了充分的信心及良好的技术支持。
总结
IRFP460LCPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，适合于各种要求严格的电力电子应用。其高漏源电压、低导通电阻和宽温度范围，使其在电源管理、逆变器和电机驱动等领域具有广泛的应用前景。VISHAY 在产品设计和制造工艺上的专业性确保了这一器件的高可靠性与优异性能，是现代工业电子设备的理想选择。