IRFP4468PBF
IRFP4468PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 195A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2.6mΩ @ 180A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 520W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.6 毫欧 @ 180A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 540nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 19860pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 520W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AC | 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP4468PBF手册
IRFP4468PBF概述
IRFP4468PBF 产品概述
IRFP4468PBF 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。此款设备特别设计用于高功率应用，能够在宽广的电压和电流范围内稳定工作，适用于多个工业和商业用途。
主要规格
IRFP4468PBF 的重要参数包括：
- 漏源电压（Vdss）： 100V
- 连续漏极电流（Id）： 在 25°C 时可达 195A
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th))： 4V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）： 2.6mΩ @ 180A, 10V
- 最大功率耗散： 520W (在 Tc=25°C 时)
- 工作温度范围： -55°C 至 175°C（TJ）
应用场景
IRFP4468PBF 在电源管理、逆变器、DC-DC 转换器、马达驱动等应用中表现出色。由于其出色的散热性能和小导通电阻，该 MOSFET 特别适合用于高频开关电源和高功率驱动场合，例如电动车、可再生能源传动系统及工业自控设备中。
设计优点
优越的导通特性： 低导通电阻（2.6mΩ）意味着在高电流操作下，能耗非常小，有助于提高系统的整体效率。这对于需要较高效率的电源建筑至关重要。
高功率处理能力： 最大功率耗散为520W，使 IRFP4468PBF 能够处理相对较高的功率需求，适合多种高功率应用。
宽工作温度范围： -55°C 至 175°C 的工作温度范围使其能够在恶劣环境条件下运行。这对航空航天、汽车和工业控制系统等领域尤为重要。
驱动条件
为了达到最佳性能，IRFP4468PBF 的栅极驱动电压应在 10V 以上，该条件下可实现最低的导通电阻值。在使用时，设计师需要注意栅极电荷（Qg），其最大值为540nC（在 10V 的驱动下），这会影响在高频应用中的开关速度和驱动电路的能力。
封装与安装
IRFP4468PBF 采用 TO-247AC 封装，这种封装设计旨在提供良好的热管理和电气连接性能，同时便于散热。相对较大的封装尺寸也意味着能够处理更大功率，并为设备的安装与热管理提供了便利。
总结
IRFP4468PBF 是一款卓越的 N 沟道 MOSFET 解决方案，适用于需要高功率、低导通电阻和宽工作温度范围的应用场景。无论是在电源供应、马达控制还是逆变器技术中，这款 MOSFET 都能够提供稳定可靠的性能。其灵活的特性和高效的工作能力使其成为业界认可的选型之一，为设计师提供了更多的灵活性和选择空间。