IRFP4110PBF
IRFP4110PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 210nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9620pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 370W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP4110PBF手册
IRFP4110PBF概述
IRFP4110PBF 产品概述
一、基本信息
IRFP4110PBF 是一款由德国英飞凌（Infineon Technologies AG）制造的高性能N沟道MOSFET，具有卓越的电气特性和宽广的应用场合。该器件旨在为高效能电源转换和大功率开关应用提供解决方案，其在电源管理、电动机驱动、逆变器等领域表现出色。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的额定漏源电压为100V，适合在中高电压环境下使用。它的高耐压特性使其能够应用于多种需要高电压耐受性的电路中。
最大连续漏极电流（Id）: IRFP4110PBF提供高达120A的连续漏极电流能力（在接合温度Tc=25°C条件下）。这一特性使得该器件适用于大电流应用场合，尤其是在电动机驱动和大功率电源转换中。
导通电阻（Rds(on)）: 在Vgs为10V且Id为75A的情况下，最大导通电阻仅为4.5毫欧。这一低导通电阻显著降低了在大电流流过时的功率损耗，提高了整体能源的利用率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA的漏电流下，Vgs(th)的最大值为4V。这表明该器件在相对较低的栅电压下即可实现导通，便于实现有效的栅极驱动控制。
栅电荷（Qg）: 在10V的栅源电压下，最大栅电荷为210nC。较低的栅电荷意味着该器件可以更快地开启和关断，适合快速交换应用。
输入电容（Ciss）: 在50V下的输入电容最大值为9620pF，为实现高频开关性能提供了基础。
功率耗散（Pd）: 在Tc为25°C的条件下，IRFP4110PBF的最大功率耗散能力为370W。这为提升系统散热设计提供了空间。
工作温度范围: 该MOSFET能够在-55°C到175°C的宽温范围内稳定工作，适应多种严苛环境下的使用。
三、封装特性
IRFP4110PBF采用TO-247AC封装，具备大表面积散热特性，便于快速散热。因此，适合高功率和高温应用。通孔安装方式使其应用于标准PCB设计中变得简便，广泛适用于各类电子设备。
四、应用领域
由于其特有的高性能参数，IRFP4110PBF被广泛应用于多种电子和电力工程，包括但不限于：
开关电源: 被应用于高效率的DC-DC转换器、AC-DC电源适配器。
电动机控制: 被用于电动工具、家电和电动车辆的电机驱动系统。
逆变器应用: 用于光伏发电和风能逆变器，提升能源转换效率。
高频开关电路: 由于其快速的开关性能，IRFP4110PBF非常适合于高频开关电路。
五、总结
IRFP4110PBF是一款高性能的N沟道MOSFET，具有100V/120A/370W的优越性能参数，满足严苛的工业需求及高效能应用。其低导通电阻、宽工作温度范围及高耐压特性，使得该产品在现代电子电力系统中展示了广泛的适用性与可靠性。无论是在电源转换还是电动机驱动方面，IRFP4110PBF均是值得信赖的选择，适合各种先进电力电子应用。