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IRFP260MPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-247AC
包装 :
管装
重量 :
6.2g
描述 :
场效应管(MOSFET) 300W 200V 50A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
25+数量 :
X
6.87按整 :
管(1管有400个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.87
--
50+
￥5.5
--
8000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFP260MPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 28A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 234nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4057pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP260MPBF手册
无数据
IRFP260MPBF概述
IRFP260MPBF 产品概述
一、产品简介
IRFP260MPBF 是由英飞凌（Infineon）公司推出的一款高性能N通道MOSFET，封装类型为TO-247AC。这款MOSFET特别适合高功率、高压应用，具有200V的漏源电压能力及50A的连续漏极电流，因此在电源管理、逆变器、电动机驱动等领域表现出色。其卓越的性能和较宽的工作温度范围，使其成为多种现代电子设备不可或缺的元器件之一。
二、主要特性
高电压与电流能力：
- 漏源电压（VDS）：200V
- 最大连续漏极电流（ID）：50A（在适当的散热条件下）
低导通电阻：
- 在VGS为10V时，28A时的最大导通电阻（RDS(on)）仅为40毫欧，确保了在高负载状态下的低能量损耗。
高温工作能力：
- 工作温度范围从-55°C到175°C，符合多种恶劣环境的需求，适合航空航天、汽车电子以及工业应用中的高温环境。
优良的栅极绝缘特性：
- 栅源电压（Vgs）最大可达±20V，增强了电路设计的灵活性与可靠性。
快速开关特性：
- 在10V栅电压下，栅极电荷（Qg）最大为234nC，使其具备良好的开关性能，能够提高开关频率和响应速度。
较低的输入电容：
- 输入电容（Ciss）在25V下最大为4057pF，降低了驱动电路的负担，从而提高了系统效率。
可靠的热管理：
- 最大功率耗散可达300W（在适宜的散热条件下），有效管理热量以保证设备稳定运行。
三、应用领域
IRFP260MPBF MOSFET广泛应用于各种电子和电力设备中，包括但不限于：
电源管理：
- 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 变换器等，对提高能效和降低热损耗起到关键作用。
逆变器：
- 在可再生能源系统（如光伏发电、风力发电）中用于逆变器设计，以实现直流到交流的高效转换。
电动机驱动：
- 可用于AC 和DC电动机驱动电路，提高控制精度和能效，广泛应用于电动工具、家电和工业自动化领域。
汽车电子：
- 在电动车和混合动力车中，IRFP260MPBF MOSFET可用于动力控制、车载充电器及其它高功率转换应用。
四、封装特点
IRFP260MPBF采用TO-247AC封装，这种封装尺寸适中，适合高功率应用，具备良好的散热性能。该封装设计使得器件的热管理变得更加高效，并且易于安装在电路板上，适合于多种工业设备和消费电子。
五、总结
综上所述，IRFP260MPBF是一款集高性能、高可靠性与出色的热管理能力于一身的MOSFET。随着现代电子设备对能效、体积和热管理要求的不断提高，IRFP260MPBF凭借其优越的电气特性和广泛的应用前景，成为高功率、高压电子设计中的理想选择。无论是在电源管理、逆变器还是电动机驱动应用中，该MOSFET都能够提供卓越的性能和持久的可靠性，为实现未来技术的发展提供了强有力的支持。