IRFP150NPBF
IRFP150NPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 36 毫欧 @ 23A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1900pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP150NPBF手册
IRFP150NPBF概述
IRFP150NPBF 产品概述
产品简介
IRFP150NPBF 是由英飞凌（Infineon）生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，它主要应用于高效能功率电子设备，具有优良的导通特性和高热管理能力。其额定漏源电压为 100V，最大连续漏极电流可达到 42A，适合用于各种电源管理和驱动电路中。此器件的功能特性使其在工业控制、电源转换、逆变器和电动工具等多种场合中有着广泛的应用。
关键参数
漏源电压 (Vdss): IRFP150NPBF 的漏源电压为 100V，适合于需要高电压操作的应用场合。
最大连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，该器件的最大连续漏极电流可达到 42A，确保在温度升高或负载增大的条件下仍能有效运行。
导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs = 10V 时，IRFP150NPBF 的最大导通电阻为 36 毫欧（在 Id=23A 的条件下），这在高电流应用时能够极大地降低功率损耗，提高整体电效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 4V（在 250µA 条件下），这意味着其启动和关断响应更加敏感，便于与低电压控制电路兼容。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 110nC，确保快速的开关时间，适合高频率应用。
输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 1900pF（在 25V 条件下），这对高频开关操作至关重要，能够减少开关损耗。
功率耗散: IRFP150NPBF 的最大功率耗散值为 160W（在 Tc 条件下），这赋予其更好的热稳定性，能够在严酷环境下长时间工作。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适应于更广泛和苛刻的环境。
封装类型: IRFP150NPBF 采用 TO-247AC 封装，这是一种常见的通孔安装封装，便于散热，适合各种电路板设计。
应用领域
IRFP150NPBF 广泛应用于多种高效能功率转换电路，包括但不限于：
电源管理: 在开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC）等领域广泛使用，确保高效的电能转换与管理。
电动机驱动: 适用于各种电动机驱动应用，提供高效且稳定的电力供应。
逆变器: 可被用于太阳能逆变器及其他类型的电源逆变系统，确保高效的能量转换。
工业控制: 在工业自动化及控制系统中，IRFP150NPBF 可以作为主要的开关元件，提升整体动能效率。
结论
IRFP150NPBF 是一款高性能且可靠的 N 通道 MOSFET，适合多种不同的应用场合。凭借其高耐压、高电流和低电阻等特性，该器件非常适合于需要效率与热管理的电子应用。无论是在工业控制、电源管理还是电动机驱动等领域，IRFP150NPBF 都能提供出色的性能表现，确保系统的高效运行。选择 IRFP150NPBF，用户可以期待高效、稳定和可靠的电子解决方案。