注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRFL4310TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-223
包装 :
编带
重量 :
0.194g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1W 100V 1.6A 1个N沟道 SOT-223
库存 :
2628(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.82按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.82
--
100+
￥1.4
--
1250+
￥1.22
--
2500+
￥1.15
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37500+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFL4310TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
IRFL4310TRPBF手册
无数据
IRFL4310TRPBF概述
产品概述：IRFL4310TRPBF
IRFL4310TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，由知名供应商英飞凌（Infineon）生产。该器件专为高效功率管理和开关应用设计，具有优异的电气性能和可靠性，其主要应用领域包括电源转换、电机驱动、开关电源及各种需要高速切换的电子系统中。
基本参数
- FET 类型与技术：IRFL4310TRPBF为N通道MOSFET，采用金属氧化物半导体技术制造，具有良好的导通性能和高输入阻抗特性。
- 电压与电流规格：该器件的漏源电压（Vdss）为100V，支持连续漏极电流（Id）达到1.6A，确保其在高压和中等电流应用场景中的优越性能。
- 导通电阻：在10V的栅源电压（Vgs）和1.6A的漏极电流条件下，IRFL4310TRPBF的最大导通电阻（Rds(on)）仅为200毫欧，这使得其在低功耗和低热量损耗方面表现优异。
- 栅极阈值电压：Vgs(th)的最大值为4V（在250µA的条件下），意味着该器件在较低的栅源电压下即可开始导通，适合低压驱动应用。
- 栅极电荷特性：在10V的Vgs条件下，其最大栅极电荷（Qg）为25nC，这表示其在开关操作时保持较低的驱动功耗，适用于高频率开关工作。
- 输入电容：在25V的Vds下，输入电容（Ciss）为330pF，提供良好的输入响应特性，适合高速电路设计。
- 功率耗散与温度范围：最大功率耗散为1W（在环境温度Ta下），工作温度范围广泛，从-55°C至150°C，显示出该器件在严格环境条件下的稳定性和适用性。
封装与安装
IRFL4310TRPBF采用SOT-223封装，这种表面贴装类型的设计使其容易集成到现代电子电路板上。该封装不仅占用空间小，同时也有助于散热配合，为电路提供了良好的散热条件。
应用领域
得益于其卓越的电气性能，IRFL4310TRPBF广泛应用于多个领域：
- 开关电源：可以作为开关元件使用，使得电源转换效率显著提升。
- 电机驱动：在消费电子、电动车及工业自动化设备中，可以有效驱动各种类型的电机。
- LED驱动：适合用于LED照明项目，实现高效的驱动控制。
- 便携式电子设备：由于其高效的性能，适用于需要小型、高效电源管理方案的便携式电子设备。
总结
总的来说，IRFL4310TRPBF是一款可靠而高效的N沟道MOSFET，适用于各种需要高电压和中等电流的应用。其低导通电阻、高阈值电压和良好的热性能，使其成为众多电子设计工程师的首选元器件。无论是在功率转换、电机控制还是高频开关应用方面，该器件都能满足严苛的要求，是现代电子设计不可或缺的基础元件之一。