注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
IRFB4310PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 300W 100V 130A 1个N沟道 ITO-220AB-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.56按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.56
--
100+
￥6.41
--
1000+
￥6.1
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFB4310PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 250nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7670pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB4310PBF手册
IRFB4310PBF概述
产品概述：IRFB4310PBF N通道 MOSFET
概述
IRFB4310PBF 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），适用于各种高功率应用场景，尤其在电源管理和电动机驱动中得到了广泛应用。该器件由著名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产，具备卓越的电气特性和高可靠性，是许多电气和电子设计工程师的理想选择。
技术规格
本器件的基础参数如下：
- FET 类型: N 通道
- 漏源电压（Vdss）: 100V
- 连续漏极电流（Id）: 130A（在 25°C 时）
- 最大驱动电压: 10V
- 导通电阻（Rds On）: 在 75A、10V 时最大值为 7 毫欧
- 开启电压（Vgs(th)）: 最大值 4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动下最大值为 250nC
- 最大栅极源极电压（Vgs）: ±20V
- 输入电容 (Ciss): 在 50V 时最大值为 7670pF
- 最大功率耗散: 300W（在 Tc 状态下）
- 工作温度范围: -55°C 至 175°C（TJ）
- 封装类型: TO-220AB，这种通孔安装封装便于在各种应用中集成。
主要特性
- 高功率承载能力: IRFB4310PBF 能够处理高达 300W 的功率，特别适合大功率应用，如电源转换器和逆变器。
- 低导通损耗: 低Rds On 数值（7毫欧）显著降低了在高电流工作状态下的导通损耗，提高了系统的整体效率。
- 宽工作温度范围: 工作温度可达 -55°C 至 175°C，使其在极端环境条件下依然稳定工作，适合军事、航空航天等特殊领域的需求。
- 友好的驱动电压: 该器件在10V 驱动下已达到良好的导通效能，同时最大栅极源极电压可承受 ±20V，为控制电路提供了灵活性。
应用场景
IRFB4310PBF 被广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 可用于高频开关电源设计，以提高能效和降低电磁干扰。
- 电动汽车: 合适的电动机驱动和电量管理系统，尤其是在高效能和高可靠性要求的汽车应用中。
- 电源管理: 用于高效的电源管理应用，帮助降低损耗，提高系统效率。
- 工业控制: 包括可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动系统及机器人等领域。
总结
IRFB4310PBF 是一款具有卓越性能的 N 通道 MOSFET，完美地结合了高功率处理能力和低导通电阻的特性，为多种应用提供了理想的解决方案。其宽工作温度范围和高可靠性使其特别适用于高难度和极端环境中。无论是在工业自动控制、电源管理还是电动汽车驱动系统中，IRFB4310PBF 都表现出色，是工程师们值得信赖的选择。