FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 117 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 97nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1300pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 140W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
概述
IRF9540NPBF 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,设计用于需要高电压和高电流应用的场合。作为 Infineon(英飞凌)品牌的一员,此元器件采用 TO-220 封装,带来卓越的散热性能和易于集成的特性,适合广泛的电子应用,包括电源管理、马达驱动以及开关电源等。
基础参数
IRF9540NPBF 的主要电气特性包括:
电气特性与应用场景
IRF9540NPBF 的最大功率耗散能力为 140W,在正常工作条件下(Tc)保证了其安全性和可靠性。此外,其工作温度范围广泛,从 -55°C 至 150°C,使得这款 MOSFET 在严酷环境中同样可以稳定工作,表现出优异的热稳定性。
作为 P 通道 MOSFET,IRF9540NPBF 在电源开关、反向极性保护电路及其他正向电流的场合中发挥关键作用。在反向电压存在的情况下,它能有效地阻挡电流,有助于延长其他组件的寿命,减少故障率。
封装与安装
IRF9540NPBF 采用 TO-220 封装,具有良好的热性能和易于安装的特点,便于在板上排布。该封装提供了较大的表面积,以增强散热功能,适用于多种散热方法,如散热器或风冷方式,让器件能在高功率下可靠工作。
结论
总之,IRF9540NPBF 是一款功能强大且可靠的 P 通道 MOSFET,能在高压和高电流环境中提供卓越的性能。无论是在电源转换、马达控制还是电池管理系统中,它都能发挥重要作用,帮助设计人员构建高效且稳定的电子系统。借助其优良的电气特性、宽广的工作温度范围以及适于散热的封装,IRF9540NPBF 是追求高性能电路设计者的理想选择。