IRF9540NPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF9540NPBF

商品编码: BM0000281009
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220
包装 : 
管装
重量 : 
2.64g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 140W 100V 23A 1个P沟道 TO-220-3
库存 :
55814(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.68
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.68
--
50+
¥1.3
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF9540NPBF参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)117 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)97nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1300pF @ 25V
功率耗散(最大值)140W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRF9540NPBF手册

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IRF9540NPBF概述

IRF9540NPBF 产品概述

概述

IRF9540NPBF 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,设计用于需要高电压和高电流应用的场合。作为 Infineon(英飞凌)品牌的一员,此元器件采用 TO-220 封装,带来卓越的散热性能和易于集成的特性,适合广泛的电子应用,包括电源管理、马达驱动以及开关电源等。

基础参数

IRF9540NPBF 的主要电气特性包括:

  • 漏源电压(Vdss): 该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V,适用于多种高压应用,确保在高电压环境下稳定工作。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 温度下,该器件可承载的最大连续漏式电流为 23A。这使得 IRF9540NPBF 适合于高功率系统,如电机控制电路。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在 Vgs 为 10V 时,导通电阻的最大值为 117 毫欧(在 11A 时测得),可有效地降低导通损耗,提高整体效率。
  • 栅极-源极阈值电压(Vgs(th)): 最大 Vgs(th) 为 4V @ 250µA,确保器件在适当的驱动电压下切换更加高效。
  • 输入电容(Ciss): 该 MOSFET 的最大输入电容为 1300pF @ 25V,这对高频开关应用尤其重要,能减小开关损耗,提高开关速度。

电气特性与应用场景

IRF9540NPBF 的最大功率耗散能力为 140W,在正常工作条件下(Tc)保证了其安全性和可靠性。此外,其工作温度范围广泛,从 -55°C 至 150°C,使得这款 MOSFET 在严酷环境中同样可以稳定工作,表现出优异的热稳定性。

作为 P 通道 MOSFET,IRF9540NPBF 在电源开关、反向极性保护电路及其他正向电流的场合中发挥关键作用。在反向电压存在的情况下,它能有效地阻挡电流,有助于延长其他组件的寿命,减少故障率。

封装与安装

IRF9540NPBF 采用 TO-220 封装,具有良好的热性能和易于安装的特点,便于在板上排布。该封装提供了较大的表面积,以增强散热功能,适用于多种散热方法,如散热器或风冷方式,让器件能在高功率下可靠工作。

结论

总之,IRF9540NPBF 是一款功能强大且可靠的 P 通道 MOSFET,能在高压和高电流环境中提供卓越的性能。无论是在电源转换、马达控制还是电池管理系统中,它都能发挥重要作用,帮助设计人员构建高效且稳定的电子系统。借助其优良的电气特性、宽广的工作温度范围以及适于散热的封装,IRF9540NPBF 是追求高性能电路设计者的理想选择。