漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 20A |
栅源极阈值电压 | 2.32V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 4mΩ @ 20A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2.5W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4 毫欧 @ 20A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.32V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 51nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4310pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 155°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
引言
IRF7832TRPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,专为需要高效率、高功率密度及可靠性的小型化电源管理系统而设计。其主要特点包括漏源电压(Vdss)高达 30V、连续漏极电流(Id)达到 20A,以及低导通电阻(Rds(on))仅为 4mΩ。这使得 IRF7832TRPBF 在各种应用场合中,如 DC-DC 转换器、马达驱动、负载开关等领域,展现出卓越的性能。
技术参数
IRF7832TRPBF 的主要技术参数如下:
封装与安装
IRF7832TRPBF 采用 8-SOIC(0.154"或3.90mm宽)封装,具有良好的散热性能和紧凑的设计,使其适合表面贴装(SMD)应用。该封装形式便于自动化生产和快速装配,大幅提高了工艺效率。
工作温度范围
IRF7832TRPBF 的工作温度范围从 -55°C 到 155°C,确保该器件能够在各种极端环境条件下稳定工作,适用于汽车、工业控制以及其他需要高温或低温环境下工作的设备。
应用场合
IRF7832TRPBF 是一款多用途的 MOSFET,广泛应用于如下领域:
总结
IRF7832TRPBF 是一款优异的 N 沟道 MOSFET,凭借其出色的电气性能及宽广的工作温度范围,在现代电子系统中扮演着举足轻重的角色。其低导通电阻和高速开关特性,使其在电源管理、灯光控制、马达驱动等领域有着广泛的应用前景。无论是在严格的工业环境还是严苛的汽车用途,IRF7832TRPBF 都能够为设计工程师提供可靠的解决方案,帮助其设计出高效、稳定且具有良好性能的电子产品。