IRF7424TRPBF 产品实物图片
IRF7424TRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF7424TRPBF

商品编码: BM0000281003
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.3g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 11A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
56(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
3.5256
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.5256
--
100+
¥3.4917
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF7424TRPBF参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)13.5 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)110nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4030pF @ 25V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

IRF7424TRPBF手册

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IRF7424TRPBF概述

IRF7424TRPBF 产品概述

1. 产品简介

IRF7424TRPBF 是一款由著名半导体制造商英飞凌 (Infineon) 提供的 P 通道 MOSFET(场效应晶体管)。此器件以其优异的电气性能和可靠的环境适应性,在各种电子电路中得到了广泛应用。其主要参数包括最大漏源电压为 30V,持续漏极电流为 11A(在适当散热的情况下),以及极低的导通电阻( Rds On),在特定条件下可以降至 13.5 毫欧。这使得 IRF7424TRPBF 在高效能电源管理和负载驱动应用中具有显著优势。

2. 主要特性

  • 电压和电流规格:IRF7424TRPBF 的漏源电压(Vdss)为30V,允许以较高电压可靠工作。同时,其连续漏极电流(Id)能够达到 11A,满足大多数功率应用的要求。

  • 导通电阻:在较高的栅极驱动电压(Vgs)下,IRF7424TRPBF 可以实现低至 13.5 毫欧的导通电阻,极大地减少了能量损耗,提高了整体系统的效率。

  • 阈值电压:该器件的阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 2.5V,适合于低电压驱动应用。

  • 驱动电压:为了确保最佳性能,该MOSFET在4.5V至10V范围内的驱动电压下表现出低导通电阻,适用于多种驱动电路设计。

  • 温度范围:IRF7424TRPBF 在-55°C到150°C的工作温度范围内可稳定运行,使其适合于极端环境下的应用,包括工业和汽车电子设备。

  • 封装和散热:该器件采用 SO-8 封装,支持表面贴装,便于在自动化生产线上的大规模集成。同时,封装设计也为器件提供了良好的散热性能,能够承受最大功率耗散为 2.5W。

3. 应用场景

IRF7424TRPBF MOSFET 适用于多种应用场景,尤其在以下几种情况下表现尤为突出:

  • 电源管理:在开关电源(SMPS)和电压调节器中,IRF7424TRPBF 的低导通电阻和高电流处理能力使其成为理想选择。

  • 负载开关:广泛应用于电机驱动、LED 驱动等负载开关应用中,可以高效地控制高功率负载的开闭。

  • 汽车电子:由于其耐高温特性,IRF7424TRPBF 适合在汽车电子系统中的电池管理和电源切换应用。

  • 工业控制:在工业自动化设备中,该器件通过提升开关效率和降低能量损耗,有助于提高整体系统的可靠性和效率。

4. 结论

作为一款具备优异电气性能和环境适应性的 P 通道 MOSFET,IRF7424TRPBF 为设计者在实现高效能电源管理和负载控制方面提供了理想的选择。其显著的电流处理能力、低导通电阻以及宽广的工作温度范围,使得该器件能够在广泛的应用中发挥重要作用。无论是在消费电子、工业应用,还是汽车电子领域,IRF7424TRPBF 都是值得信赖的电子元件,能够有效提升产品的整体性能和稳定性。