FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 13.5 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 110nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4030pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
1. 产品简介
IRF7424TRPBF 是一款由著名半导体制造商英飞凌 (Infineon) 提供的 P 通道 MOSFET(场效应晶体管)。此器件以其优异的电气性能和可靠的环境适应性,在各种电子电路中得到了广泛应用。其主要参数包括最大漏源电压为 30V,持续漏极电流为 11A(在适当散热的情况下),以及极低的导通电阻( Rds On),在特定条件下可以降至 13.5 毫欧。这使得 IRF7424TRPBF 在高效能电源管理和负载驱动应用中具有显著优势。
2. 主要特性
电压和电流规格:IRF7424TRPBF 的漏源电压(Vdss)为30V,允许以较高电压可靠工作。同时,其连续漏极电流(Id)能够达到 11A,满足大多数功率应用的要求。
导通电阻:在较高的栅极驱动电压(Vgs)下,IRF7424TRPBF 可以实现低至 13.5 毫欧的导通电阻,极大地减少了能量损耗,提高了整体系统的效率。
阈值电压:该器件的阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 2.5V,适合于低电压驱动应用。
驱动电压:为了确保最佳性能,该MOSFET在4.5V至10V范围内的驱动电压下表现出低导通电阻,适用于多种驱动电路设计。
温度范围:IRF7424TRPBF 在-55°C到150°C的工作温度范围内可稳定运行,使其适合于极端环境下的应用,包括工业和汽车电子设备。
封装和散热:该器件采用 SO-8 封装,支持表面贴装,便于在自动化生产线上的大规模集成。同时,封装设计也为器件提供了良好的散热性能,能够承受最大功率耗散为 2.5W。
3. 应用场景
IRF7424TRPBF MOSFET 适用于多种应用场景,尤其在以下几种情况下表现尤为突出:
电源管理:在开关电源(SMPS)和电压调节器中,IRF7424TRPBF 的低导通电阻和高电流处理能力使其成为理想选择。
负载开关:广泛应用于电机驱动、LED 驱动等负载开关应用中,可以高效地控制高功率负载的开闭。
汽车电子:由于其耐高温特性,IRF7424TRPBF 适合在汽车电子系统中的电池管理和电源切换应用。
工业控制:在工业自动化设备中,该器件通过提升开关效率和降低能量损耗,有助于提高整体系统的可靠性和效率。
4. 结论
作为一款具备优异电气性能和环境适应性的 P 通道 MOSFET,IRF7424TRPBF 为设计者在实现高效能电源管理和负载控制方面提供了理想的选择。其显著的电流处理能力、低导通电阻以及宽广的工作温度范围,使得该器件能够在广泛的应用中发挥重要作用。无论是在消费电子、工业应用,还是汽车电子领域,IRF7424TRPBF 都是值得信赖的电子元件,能够有效提升产品的整体性能和稳定性。