IRF634PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF634PBF

商品编码: BM0000281000
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
2.74g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 74W 250V 8.1A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.21
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.21
--
100+
¥2.57
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF634PBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)250V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)450 毫欧 @ 5.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)41nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)770pF @ 25V
功率耗散(最大值)74W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRF634PBF手册

IRF634PBF概述

IRF634PBF 产品概述

产品简介

IRF634PBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由 VISHAY(威世)公司生产。该器件设计用于高压、大电流的应用场合,具有出色的电气特性和可靠性。其漏源电压(Vdss)可达到250V,连续漏极电流(Id)在25°C时可达到8.1A,适合用于开关电源、逆变器、电机驱动和其他高功率电子电路。

技术参数

IRF634PBF 的技术参数包括:

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压 (Vdss): 250V,适合高压电路
  • 最大连续漏极电流 (Id): 8.1A @ 25°C,保证电路在高负载下稳定运行
  • 驱动电压: 最大和最小 Rds On 为 10V
  • 导通电阻 (Rds On): 最大值为 450 毫欧 @ 5.1A,10V,提供低损耗和高效率
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 4V @ 250µA,适合各种逻辑电平驱动
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值 41nC @ 10V,表明其驱动损耗相对较低
  • 输入电容 (Ciss): 最大值 770pF @ 25V,适合高频应用
  • 功率耗散: 最大可达 74W(Tc),允许器件在高功率场景下长时间工作
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ),适合严酷环境

封装与安装

IRF634PBF 采用 TO-220AB 封装,封装外壳为 TO-220-3。这种封装类型便于散热,并且适合通孔安装,使得其在 PCB 设计和组装过程中非常便利。这种设计保证了器件的热性能,为高功率和高效率的应用提供了可靠的支持。

应用场合

IRF634PBF 适用于多种应用,包括但不限于:

  • 开关电源转换器:在高频开关模式下有效控制电压和电流。
  • 逆变器:用于光伏和可再生能源领域的能量转换。
  • 电机驱动:在工业和自动化设备中,提供高效的电机控制。
  • 电子负载:在测试设备中模拟实际负载以评估电源性能。
  • 其他高功率电子电路:其稳定的性能和高耐压使其在各种高功率应用中表现出色。

性能优势

IRF634PBF 的主要优势包括其出色的导通特性和低导通电阻,确保在运行中的能量损耗最小化。此外,其耐高温范围和稳定性能使其能够在严酷的环境中长时间工作,满足可靠性的要求。其宽广的电压和电流范围使其适合多样化的应用需求。同时,VISHAY 的品牌声誉也为其质量提供了保障。

结论

总的来说,IRF634PBF 是一款功能强大且高效的 N 通道 MOSFET,具备超高的工作可靠性和广泛的应用适应性。无论是在工业应用还是消费电子领域,它都能提供稳定的性能和卓越的能效,是高功率电路设计中的理想选择。