FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 250V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.1A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 450 毫欧 @ 5.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 770pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 74W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF634PBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由 VISHAY(威世)公司生产。该器件设计用于高压、大电流的应用场合,具有出色的电气特性和可靠性。其漏源电压(Vdss)可达到250V,连续漏极电流(Id)在25°C时可达到8.1A,适合用于开关电源、逆变器、电机驱动和其他高功率电子电路。
IRF634PBF 的技术参数包括:
IRF634PBF 采用 TO-220AB 封装,封装外壳为 TO-220-3。这种封装类型便于散热,并且适合通孔安装,使得其在 PCB 设计和组装过程中非常便利。这种设计保证了器件的热性能,为高功率和高效率的应用提供了可靠的支持。
IRF634PBF 适用于多种应用,包括但不限于:
IRF634PBF 的主要优势包括其出色的导通特性和低导通电阻,确保在运行中的能量损耗最小化。此外,其耐高温范围和稳定性能使其能够在严酷的环境中长时间工作,满足可靠性的要求。其宽广的电压和电流范围使其适合多样化的应用需求。同时,VISHAY 的品牌声誉也为其质量提供了保障。
总的来说,IRF634PBF 是一款功能强大且高效的 N 通道 MOSFET,具备超高的工作可靠性和广泛的应用适应性。无论是在工业应用还是消费电子领域,它都能提供稳定的性能和卓越的能效,是高功率电路设计中的理想选择。