IRF6217TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
表面贴装型-P-通道-150V-700mA（Ta）-2.5W（Ta）-8-SO
库存 :
84(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
4.03按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.03
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100+
￥3.37
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1000+
￥3.12
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2000+
￥2.97
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4000+
￥2.83
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24000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF6217TRPBF参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 150V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 150V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 700mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 欧姆 @ 420mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 8-SO |
IRF6217TRPBF手册
IRF6217TRPBF概述
IRF6217TRPBF 产品概述
一、产品简介
IRF6217TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能 P 通道 MOSFET，采用了广泛应用的 8-SOIC 封装方式，具有优异的电气特性，适用于各种电子应用，包括电源管理、直流电机驱动、负载开关等场景。
二、关键特性
封装与类型
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽），符合表面贴装(SMT)安装标准，适合在空间受限的电路板上使用。
- FET 类型：P 通道，具有良好的开关性能和高效率，适用于负载控制场景。
电压与电流特性
- 漏源极电压（Vdss）：150V，能够承受高电压的应用，拓宽了使用范围。
- 持续漏极电流 (Id)：700mA（Ta=25°C），满足多种驱动和控制需求。
- 功率耗散：最大可达2.5W（Ta），为设备提供了更大的安全余量，增强了可靠性。
导通电阻特性
- Rds(on)：在特定条件下能达到最大 2.4Ω @ 420mA，10V 的电压下表现出良好的导通性能，降低了在工作过程中的功耗。
栅极电压和特性
- 栅源电压 (Vgss)：最大±20V，涵盖常见的驱动电压范围。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值为 5V @ 250µA，确保 MOSFET 能够在较低的栅电压下可靠导通。
- 驱动电压：适合于10V至最高20V的应用场合，优化了导通特性。
介电特性
- 输入电容 (Ciss)：最大150pF @ 25V，能有效提高开关速度，适应高频应用。
环境耐受性
- 工作温度范围：-55°C至150°C（TJ），确保在极端环境下的可靠运行，大大拓宽了其应用场合。
栅极电荷
- 栅极电荷 (Qg)：最大值为9nC @ 10V，降低了高频开关损耗，提高了开关效率。
三、应用领域
IRF6217TRPBF 的高电压和电流能力使其非常适用于：
- 电源管理：如 DC-DC 转换、功率放大器等应用。
- 负载开关：可以用于控制高功率设备的开关，降低设计复杂性。
- 电动机控制：在电动机驱动应用中提供快速切换。
- 照明控制和电源开关：可方便地集成至各种照明系统和电源电路中。
四、总结
IRF6217TRPBF MOSFET 是一款功能强大、可靠性高的 P 通道 MOSFET，适用于广泛的电子应用。其出色的电气特性，以及在高电压、高电流环境中的表现，使其成为电源管理、电动机控制和负载开关等领域的重要选择。随着对高效能和低功耗电子器件需求的增长，IRF6217TRPBF 的应用前景愈加广阔，能够为设计工程师提供更为灵活和高效的解决方案。