漏源电压(Vdss) | 40V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 202A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 4mΩ @ 121A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 333W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 202A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4 毫欧 @ 121A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 196nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5669pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 333W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
基本信息
IRF1404PBF是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),具备优越的电气性能和广泛的应用场景。该器件专为高电流和高电压应用而设计,适合在苛刻的工作条件下使用。其基础参数包括漏源电压(Vdss)为40V、连续漏极电流(Id)可达202A、最大功率耗散333W,工作温度范围从-55°C到175°C。
主要特点
高电流承载能力:IRF1404PBF能够承受高达202A的连续漏极电流,这使其非常适合于需要大电流传输的应用场合,如电机驱动、电源管理和工业控制等。
低导通电阻:该MOSFET在10V栅源电压下,121A时的漏源导通电阻仅为4mΩ,这显著降低了功耗,有利于提升系统整体效率并减少热量生成。
卓越的功率散热能力:最大功率耗散可达到333W(在Tc=25°C),使其能够在要求极高的负载条件下正常工作,特别是在需要散热处理的高功率应用环境中。
宽工作温度范围:其工作温度范围从-55°C到175°C,确保该器件在极端环境条件下的稳定性和可靠性,适合航空航天、汽车电子及工业控制等领域。
优化的门极特性:栅源极阈值电压为4V(@ 250µA),最大栅电荷(Qg)为196nC(@10V),这些电气特性使得IRF1404PBF可以通过适当的驱动电路轻松实现高频开关操作,适合于高效率的开关电源设计。
良好的输入电容特性:输入电容(Ciss)在25V下为5669pF,保证了其在高频应用中的良好特性,能够更好地应对信号的快速变化。
环境友好与封装类型:IRF1404PBF采用TO-220AB封装,适合通孔设计,便于散热和安装,同时其环保特性符合RoHS标准,适合现代电子设备的需求。
应用场景
IRF1404PBF的多功能性使其广泛应用于各类电力电子设备中。常见应用包括:
电机控制:可用于直流电机和步进电机的驱动,尤其在需要高电流和快速开关的场合。
开关电源:在各种DC-DC转换器及AC-DC电源中,承担开关元件的角色,提高能量转换效率。
电池管理系统:在充放电过程中,作为切换组件,提高系统的工作效率和安全性。
汽车电子:广泛应用于电动汽车和混合动力汽车的电能管理系统中,以实现高效能量转换和控制。
结论
IRF1404PBF作为一款具有卓越性能和灵活应用的MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻和广泛的适用温度范围,成为电力电子和自动化控制领域不可或缺的关键元件。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子中,该器件都展现出良好的性能与可靠性,为现代电子产品的设计与开发提供了强有力的支持。