漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 81A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 12mΩ @ 50A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 200W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 84A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 12 毫欧 @ 50A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 130nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3210pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 200W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
一、概述
IRF1010EPBF 是一款由英飞凌公司(Infineon)制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),它以其优异的电气性能和可靠性广泛应用于各类高功率电子电路。该元件以TO-220AB封装形式提供,适用于热量管理要求较高的应用场合,支持高达200W的功率耗散。
二、基本参数
IRF1010EPBF的主要电气参数包括:
三、应用场景
IRF1010EPBF MOSFET广泛应用于多种电子设备和系统中,包括:
四、性能优势
IRF1010EPBF具备以下优势:
五、总结
综上所述,IRF1010EPBF是一款具有出色电气特性和适应广泛温度范围的N沟道MOSFET,适合用于优化并提升各类电力电子设备的性能。其低导通电阻,高连续电流和耐压能力,使得该器件在电机驱动、开关电源、DC-DC变换等应用中发挥出色,助力实现高效能的电力转换和管理。因此,对于在功率电子和高频应用领域的设计师而言,IRF1010EPBF无疑是一个值得信赖的选择。