安装类型 | 表面贴装型 | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,3V |
驱动配置 | 高压侧或低压侧 | 输入类型 | 非反相 |
通道类型 | 单路 | 驱动器数 | 1 |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 250mA,500mA | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 上升/下降时间(典型值) | 80ns,40ns |
电压 - 供电 | 9V ~ 20V | 高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V |
产品概述:IR21271STRPBF
IR21271STRPBF是一款高性能的高压侧或低压侧栅极驱动器,专为控制IGBT和N沟道MOSFET而设计,适用于需要高电压驱动的应用。作为Infineon(英飞凌)公司的一款集成电路(IC),它采用了表面贴装型SOIC-8封装,具有优良的电气性能和广泛的应用场景。
IR21271STRPBF在性能上具备卓越的输出能力:
IR21271STRPBF的设计温度范围为-40°C至150°C,适合在恶劣环境条件下工作,特别适合工业控制、电动汽车及可再生能源系统等领域。
IR21271STRPBF能够广泛应用于:
IR21271STRPBF的各项性能指标使其成为一种理想的栅极驱动器,适用于高压和高功率应用。它的表面贴装型设计、宽工作温度范围及高速开关能力,结合Infineon作为知名品牌的技术优势,确保了其在市场上的竞争力。工程师可以自信地选用IR21271STRPBF,以实现高效、可靠的电源管理和控制,在满足严苛应用需求的同时,推动整体系统性能的提升。