IPA60R400CE

IPA60R400CE 产品概述

IPA60R400CE 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能 N 沟道场效应管（MOSFET），广泛应用于各种电子电路及电力电子领域。这种 MOSFET 以其出色的电气性能和可靠性，在工业电源、电机驱动、开关电源以及变换器设计等领域得到了广泛应用。以下是对该元件的详细参数和应用的概述。

主要参数

1. 漏源电压 (Vdss): 600V

   • 这表示该 MOSFET 能够承受的最大漏源电压达到了 600V，使其能够在高电压应用场合中运行而不至于被击穿。

2. 连续漏极电流 (Id): 10.3A (25°C 时)

   • 该元件在较高的工作温度下仍能够持续承载 10.3A 的电流，增强了其在功率转换和电力管理系统中应用的灵活性。

3. 栅源极阈值电压: 3.5V @ 300uA

   • 自门极起动所需的电压较低，有助于提高开关频率，因为它使得控制电路可以更容易地驱动 MOSFET。

4. 漏源导通电阻: 400mΩ @ 3.8A, 10V

   • 较低的导通电阻意味着在导通状态下能源损耗较低，从而提高了系统的整体效率，减少了发热。

5. 最大功率耗散: 31W (Ta=25°C)

   • 高达 31W 的功率耗散能力使得该 MOSFET 能够在高功率应用中维持稳定性，适合于需要长时间高负荷工作的场合。

6. 封装类型: PG-TO220-3

   • PG-TO220-3 封装提供了良好的热管理和机械强度，便于散热设计，并且适合用于常规 PCB 集成。

应用场景

IPA60R400CE 被广泛应用于以下几个领域：

1. 开关电源: 其高电压和高电流特性使其在 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的应用非常合适，能够有效地转换和管理电力。

2. 电机驱动: 该 MOSFET 的高效能和承载能力使其成为电动机控制电路的理想选择，能够支持变频器和伺服控制系统。

3. 高压功率控制: 其600V的额定漏源电压使其适用于高压直流电源和其他电力电子设备中的开关和控制电路。

4. 太阳能逆变器: 在可再生能源的应用中，例如太阳能逆变器，IPA60R400CE 可以帮助实现高效率的电能转换。

结论

综上所述，IPA60R400CE 是一款极具竞争力的 N 沟道 MOSFET，凭借其高电压、高电流和低导通电阻的特性，成为多种高性能电子应用的理想选择。其优异的热性能和散热能力，加上英飞凌的知名品质，使之在工业应用及商业产品设计中都备受青睐。选择 IPA60R400CE，您将获得卓越的性能和高可靠性，为设计和实现高效、稳定的电力电子系统提供了有力保障。