FZT751TA
FZT751TA参数
| 额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 3A |
| 集射极击穿电压Vce | 60V | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 300mA，3A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，2V | 功率 - 最大值 | 2W |
| 频率 - 跃迁 | 140MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT751TA手册
FZT751TA概述
FZT751TA 产品概述
一、产品简介
FZT751TA 是一款高性能的 PNP 晶体管，专为低功耗电子设备而设计，主要用于开关和放大应用。这款三极管的额定功率为 2W，具有高达 3A 的集电极电流能力，以及可承受 60V 的集射极击穿电压，使其成为许多中高功率电路的理想选择。FZT751TA 采用 SOT-223 封装，适合于表面贴装技术，方便集成于现代电子产品中。
二、关键参数
额定功率与电流能力
- 额定功率：2W
- 最大集电极电流：3A
- 最大集电极截止电流：100nA (ICBO)
电压规格
- 集射极击穿电压（Vce）：60V
- 饱和压降（Vce(sat)）: 在 300mA 和 3A 的不同 Ib、Ic 条件下，最大为 600mV。
增益特性
- DC 电流增益 (hFE)：在 500mA 和 2V 的条件下，最小值为 100。这意味着在应用中，FZT751TA 能够有效地放大输入信号，具有很好的线性特性。
频率特性
- 频率—跃迁：该三极管的频率特性达到 140MHz，使其适用于高频信号处理和开关电路。
工作环境
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C（TJ），这确保了其在极端环境下的可靠性和稳定性，适用于航空航天、汽车和工业控制系统等领域。
结构与封装
- 封装类型：SOT-223，表面贴装型，便于与其他微型化电子元件的组合，适合高密度电路设计。
三、应用领域
FZT751TA 适用于广泛的应用场景，包括但不限于：
开关电路：在电源管理模块、功率转换器和电机驱动中，作为开关器件提供高效率和快速响应。
放大器电路：作为信号放大元件，可用于音频放大、RF 传输和接收电路中。
消费者电子：在照明控制、家庭自动化和其他便携式电子设备中使用。
工业控制：适用于自动化设备和控制系统，支持高功率和长时间运行的需求。
四、竞争优势
高功率处理能力：相较于同类产品，FZT751TA 的 2W 额定功率和 3A 集电极电流能力使其在功率密集型应用中具有竞争力。
高频特性：140MHz 的频率跃迁使其适用于现代高频电路，较其他竞争产品时常有限制的频率特性更具优势。
宽工作温度范围：-55°C 至 150°C 的工作温度可以确保在多种严苛环境中的可靠性能，增加了应用的灵活性。
优异的电流增益：高达 100 的 DC 电流增益能够极大增强信号的放大效果，促使其在音频器件中表现更加突出。
五、总结
FZT751TA 是一款性能卓越的 PNP 晶体管，适用于多种高功率和高频应用。凭借其优越的电气特性、可靠的工作温度范围及适应现代电子设备需求的 SOT-223 封装，FZT751TA 在市场中具备极高的性价比和使用灵活性。无论是在日趋复杂的消费电子，还是在要求严格的工业控制应用中，FZT751TA 都能满足设计工程师的期望，是您的理想选择。