FQT7N10LTF

产品概述：FQT7N10LTF MOSFET

基本信息

FQT7N10LTF 是一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），其主要应用于各种电子设备中，尤其是在需要高电压和中等电流的场合。这款 MOSFET 拥有100V 的漏源电压（Vdss）和持续达1.7A 的漏极电流（Id），在确保稳定工作的同时，能够满足现代电子产品对电源管理的高效要求。

关键参数

• 漏源电压（Vdss）: 最大100V ，使得该器件能够在大部分高压应用中使用而不至于击穿。
• 连续漏极电流（Id）: 1.7A，适合中等电流的电路。
• 驱动电压: 该器件能够在相对低的5V 或者更高的10V 下实现优良的导通状态，适应多种输入信号需求。
• 导通电阻（Rds(on)）: 在10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为350毫欧（@850mA），这意味着在正常操作条件下低功耗，提升了电源效率。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为2V（@250µA），使得该管在较低的栅极驱动下也能开始工作，增加了电路的灵活性。
• 输入电容（Ciss）: 最大输入电容290pF（@25V），表现出较好的频率响应性能，适合开关电源和高频应用。
• 功率耗散: 最大功率耗散为2W，确保其在工作的一定温度范围内有效散热。
• 工作温度范围: 从-55°C 到 150°C，适合极端环境条件，能够满足航空航天、工业和汽车应用的需求。

封装和安装

FQT7N10LTF 采用表面贴装型封装 SOT-223-4，这种小型封装提升了其在电路板上的集成度，方便了自动化安装。同时，与 TO-261-4 和 TO-261AA 兼容，使其在不同的设计中具有良好的适应能力。

应用领域

FQT7N10LTF 是一种非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他要求高电压和电流的开关应用的器件。其优良的电气性能使其在电动交通工具、可再生能源系统（如太阳能逆变器）和消费电子产品中都有广泛运用。

优势与特点

1. 效率高: 低导通电阻和优良的电流承载能力，使其在各类应用中的能效表现突出。
2. 高可靠性: 宽广的工作温度范围和高功率耗散值，确保其在多种苛刻环境中可靠运行。
3. 良好散热: 与高效能相结合，增强了其在高功率设备中的表现。
4. 易于集成: SOT-223-4 封装设计使之可以在现代紧凑电路设计中方便使用。

总结

FQT7N10LTF 是一款在高电压和中等电流条件下表现优异的 N 通道 MOSFET。凭借其出色的导通电阻、稳定的工作性能和广泛的应用潜力，这款器件成为诸多电子设计师和工程师的首选，尤其是在对电源管理、信号开关以及其他电气控制系统有较高需求的场合。选用 FQT7N10LTF，您可以确保系统的高效和可靠。