晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 1.3A |
集射极击穿电压Vce | 450V | 额定功率 | 700mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.3A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 450V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 250mA,1A | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 16 @ 500mA,2V |
功率 - 最大值 | 700mW | 频率 - 跃迁 | 4MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
概述: DXT13003DG-13 是一款高性能 NPN 晶体管,采用 SOT-223 表面贴装封装,主要用于高电压和高电流应用。该晶体管的集电极电流 (Ic) 最大值为 1.3A,集射极击穿电压 (Vce) 高达 450V,表现出卓越的电气性能和可靠性。其额定功率为 700mW,适合在各种电子设备中应用,尤其是在功率放大和开关电路中,对于电源管理、信号放大等场合尤其有效。
主要特性:
应用领域: DXT13003DG-13 广泛应用于多个电子设备的设计中,包括但不限于:
封装和安装: DXT13003DG-13 采用 SOT-223 表面贴装封装,紧凑且轻便,适合现代电子产品对小型化的需求,易于在自动化生产中进行贴装。其封装设计使得热管理效果良好,有助于提高芯片的工作效率和延长使用寿命。
总结: DXT13003DG-13 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,因其高集电极电压和电流能力、低饱和压降以及宽广的温度适应性,使其在现代电子产品中成为极具竞争力的选择。在电源电路和信号放大应用中,该器件能够提供可靠的性能和良好的能效,适应多种高效率的电子设计需求。无论是在工业环境还是在消费电子中,DXT13003DG-13 均能发挥其最大的优势,是设计人员值得信赖的电子元器件。