DXT13003DG-13 产品实物图片
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DXT13003DG-13

商品编码: BM0000280926
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.15g
描述 : 
三极管(BJT) 700mW 450V 1.3A NPN SOT-223-4
库存 :
7500(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.41
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.41
--
100+
¥1.09
--
1250+
¥0.921
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DXT13003DG-13参数

晶体管类型NPN集电极电流Ic1.3A
集射极击穿电压Vce450V额定功率700mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1.3A电压 - 集射极击穿(最大值)450V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 250mA,1A不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)16 @ 500mA,2V
功率 - 最大值700mW频率 - 跃迁4MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装SOT-223

DXT13003DG-13手册

DXT13003DG-13概述

DXT13003DG-13 产品概述

概述: DXT13003DG-13 是一款高性能 NPN 晶体管,采用 SOT-223 表面贴装封装,主要用于高电压和高电流应用。该晶体管的集电极电流 (Ic) 最大值为 1.3A,集射极击穿电压 (Vce) 高达 450V,表现出卓越的电气性能和可靠性。其额定功率为 700mW,适合在各种电子设备中应用,尤其是在功率放大和开关电路中,对于电源管理、信号放大等场合尤其有效。

主要特性:

  1. 晶体管类型: DXT13003DG-13 是一款 NPN 类型的晶体管,适合用于多种信号处理和功率驱动应用。
  2. 电流和电压性能: 该晶体管的最大集电极电流为 1.3A,能够承受高达 450V 的集射极击穿电压,使其在高电压和高电流环境中运行时具有良好的稳定性。
  3. 饱和压降: 在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 情况下,其 Vce 饱和压降最大为 400mV(在 250mA 和 1A 时),这表明其在饱和状态下功率损耗较低,有助于提升整体电路的能效。
  4. DC 电流增益: 在 500mA 的工作条件下,该晶体管的 DC 电流增益 (hFE) 至少为 16,这意味着它能够有效放大电流,为应用提供足够的驱动力。
  5. 频率响应: DXT13003DG-13具备4MHz的跃迁频率,适合中高频信号的放大,确保其在高速开关应用中的适用性。
  6. 宽工作温度范围: 其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,能够在严苛环境条件下稳定运行,适用于航空航天、汽车电子等对环境要求高的领域。

应用领域: DXT13003DG-13 广泛应用于多个电子设备的设计中,包括但不限于:

  • 电源供应器: 在开关电源、线性电源等设备中,作为功率开关或线性放大器使用。
  • 信号放大器: 适用于音频放大器、射频放大器等需要增加信号强度的场合。
  • 开关电路: 作为开关元件在各种控制电路中发挥作用,包括马达控制、灯光控制等应用。

封装和安装: DXT13003DG-13 采用 SOT-223 表面贴装封装,紧凑且轻便,适合现代电子产品对小型化的需求,易于在自动化生产中进行贴装。其封装设计使得热管理效果良好,有助于提高芯片的工作效率和延长使用寿命。

总结: DXT13003DG-13 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,因其高集电极电压和电流能力、低饱和压降以及宽广的温度适应性,使其在现代电子产品中成为极具竞争力的选择。在电源电路和信号放大应用中,该器件能够提供可靠的性能和良好的能效,适应多种高效率的电子设计需求。无论是在工业环境还是在消费电子中,DXT13003DG-13 均能发挥其最大的优势,是设计人员值得信赖的电子元器件。