DNBT8105-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DNBT8105-7

商品编码: BM0000280915
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.017g
描述 : 
三极管(BJT) 600mW 60V 1A NPN SOT-23
库存 :
7273(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.423
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.423
--
200+
¥0.273
--
1500+
¥0.237
--
3000+
¥0.21
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DNBT8105-7参数

晶体管类型NPN集电极电流Ic1A
集射极击穿电压Vce60V额定功率600mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A电压 - 集射极击穿(最大值)60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 100mA,1A电流 - 集电极截止(最大值)100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 500mA,5V功率 - 最大值600mW
频率 - 跃迁150MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

DNBT8105-7手册

DNBT8105-7概述

DNBT8105-7 产品概述

概述

DNBT8105-7 是一款高效、低功耗的 NPN 杂散型三极管,专为需要精确开关控制、高速操作和低饱和电压的应用场景设计。作为一款表面贴装类型的器件,它结合了优秀的电气性能与小巧的封装设计,适用于现代电子电路中日益严苛的空间与电源要求。

主要参数

  • 类型: NPN
  • 集电极电流 (Ic): 最大1A
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大60V
  • 额定功率: 最大600mW
  • 饱和压降 (Vce sat): 最大500mV(在Ic=100mA时)
  • 截止电流 (Ico): 最大100nA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小100(在Ic=500mA及5V时)
  • 跃迁频率: 150MHz
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: SOT-23
  • 供应商器件封装: SOT-23-3

设计与性能

DNBT8105-7 的 NPN 结构使其适合于多种开关和放大应用。其最大集电极电流为1A,适合需要较高输出电流的电路设计。同时,具有最高60V的集射极击穿电压,确保在高电压环境中仍能稳定工作。

饱和压降是评估晶体管性能的重要指标。DNBT8105-7 在100mA的输出电流下,表现出500mV的最大饱和压降,极大地减少了能量损耗,提高了电路的整体效率。这种性能尤其适合电源管理、功率放大等要求低功耗和高效能传输的应用。

此外,DNBT8105-7 的最低直流电流增益 (hFE) 为100,表明它在放大信号方面具有较强的能力,适合用于信号处理和开关电路设计。频率跃迁特性(150MHz)则使其能够在高速数字电路中稳定工作,满足现代通信及数据处理的需求。

应用领域

DNBT8105-7 的多样化应用场景包括:

  • 开关电源: 在开关电源设计中,DNBT8105-7 可用作控制开关,为负载提供高效电源。
  • 信号放大器: 其高增益及低噪声特性,使其在音频、视频放大以及射频应用中表现优越。
  • 电路保护: 可在电源管理设备中用作过电流保护,增强电子设备的安全性和可靠性。
  • 调制解调器: 其频率响应能力,使得其在调制解调器及高速数据传输应用中极具竞争力。

设计灵活性

作为一款表面贴装型三极管,DNBT8105-7 的 SOT-23 封装设计使得其在电路板上占用极小空间,便于自动化装配和提升生产效率。它适用于各种手持设备、消费电子、工业自动化设备以及高可靠性系统中,能够满足现代电子设备对紧凑设计和高能效的需求。

结论

DNBT8105-7 是一款出色的NPN晶体管,具有广泛的应用潜力与高效性能。它卓越的电气特性以及广泛的工作温度范围,使其成为电子设计工程师的理想选择。在不断发展的电子行业中,DNBT8105-7 将继续为各种应用提供强大支持。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制系统中,DNBT8105-7 都将有助于提高性能,优化能效,确保电子产品的稳定与可靠。