DMP6110SSD-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.112g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.2W 60V 3.3A 2个P沟道 SOP-8
库存 :
5968(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.55按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.55
--
100+
￥1.2
--
1250+
￥1.04
--
2500+
￥0.98
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37500+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP6110SSD-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.3A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 105mΩ @ 4.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.2W | 类型 | 双P沟道 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.3A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 969pF @ 30V | 功率 - 最大值 | 1.2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SO |
DMP6110SSD-13手册
DMP6110SSD-13概述
产品概述：DMP6110SSD-13
DMP6110SSD-13 是 DIODES（美台）公司推出的一款高性能双P沟道场效应管（MOSFET），具有广泛的应用潜力，能够满足现代电子设备对高效能和低功耗的需求。本产品特别适合用于需要高效率开关控制和功率管理的电气应用，同时还具备卓越的热管理能力，是设计者们在选择功率开关和驱动器时的优先选择。
主要参数与性能
基本电气特性：
- 漏源电压（Vdss）：该器件可承受最高60V的漏源电压，适合多种中等电压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，DMP6110SSD-13可以持续提供3.3A的漏极电流，确保在功率要求较高的情况下依然能够稳定工作。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：产品在达到3V时开始导通，适合低栅压驱动场景。
电阻与热特性：
- 导通电阻（Rds(on)）：在4.5A和10V的条件下，其漏源导通电阻为105mΩ，代表该器件在导通时产生的能量损耗极小，有效提高整体功率效率。
- 功率耗散：最大功率耗散可达1.2W，适合高密度集成的应用环境，有助于降低过热风险。
- 工作温度范围：DMP6110SSD-13的工作温度范围从-55°C到150°C，确保其在严苛环境下也能稳定工作。
电介质特性：
- 栅极电荷（Qg）：该器件最大栅极电荷为17.2nC，在10V偏置下，确保了驱动电路的高效性，尤其在高频开关应用中表现优异。
- 输入电容（Ciss）：在30V的条件下，最大输入电容为969pF，有助于降低驱动功耗，适合快速开关应用。
封装与安装
DMP6110SSD-13采用8-SOIC (0.154"，3.90mm 宽)的表面贴装型封装设计，具备良好的集成性和空间节约特性，适合现代电子PCB板的设计要求。这种封装形式紧凑而且便于自动化生产制造，降低了整体生产成本。
应用领域
DMP6110SSD-13广泛应用于各种电子应用，包括但不限于：
- 电源管理电路，如DC-DC转换器
- 开关电源（SMPS）；
- 高效能的电机驱动；
- 蓄电池管理系统；
- LED驱动电路；
- 移动设备和便携式电子产品。
结论
DMP6110SSD-13是一款具有很高市场竞争力的双P沟道MOSFET，不仅提供高达60V的运行电压、3.3A的连续电流，还具备低能耗、广泛的温度适应能力及优异的电压控制性能。这使得它在电源管理和开关控制应用中非常受欢迎。设计师可以放心地将其应用于多种电气设计，DMP6110SSD-13将帮助提升设备整体性能，是现代电子产品的理想选择。通过有效整合这一高性能元件，可以实现更优秀的产品设计，从而满足日益发展的市场需求。