DMP4050SSS-13
DMP4050SSS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.4A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.56W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13.9nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 674pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 1.56W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMP4050SSS-13手册
DMP4050SSS-13概述
DMP4050SSS-13 产品概述
1. 产品基本信息
DMP4050SSS-13 是一款高性能 P 沟道 MOSFET（场效应管），主要用于中低功率的开关应用。它的典型工作电压为 40V，能够承受的连续漏极电流为 4.4A，非常适合用于电源管理及各种开关电源模块。该器件由 DIODES（美台）公司制造，封装类型为 SO-8，具有优良的热管理特性。
2. 主要规格
- 漏源电压 (Vdss): 最高可达到 40V，这使得 DMP4050SSS-13 可以应用于多个电子设备的电源路段，承受由电源变换或负载变化所带来的电压波动。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，DMP4050SSS-13 的最大漏极电流可达到 4.4A，适用于低至中功率的应用场合。
- 栅源级阈值电压 (Vgs(th)): 该产品在 250µA 电流下的阈值电压为 3V，确保器件在低电压时即可启动，适合用于低功耗电路。
- 漏源导通电阻 (Rds On): 在 6A 电流和 10V 栅源电压下，门栅电阻达到最低 50mΩ 的表现，确保在导通时能有效减少功率损耗，提高开关效率。
- 输入电容 (Ciss): 674pF @ 20V 的输入电容表明该产品能有效地应对高速开关带来的电气干扰。
3. 热性能和功率耗散
DMP4050SSS-13 的最大功率耗散为 1.56W（在环境温度 25°C 时），可满足在多种操作条件下的热管理需求。这一水平的功率耗散在 MOSFET 设计中至关重要，因为它关乎设备的工作稳定性与安全性。该器件适用的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，不仅使其能够在极端环境下稳定工作，还能够满足汽车等高可靠性领域的需求。
4. 驱动特性
DMP4050SSS-13 的驱动电压范围较广，最小 Rds On 的驱动电压为 4.5V，最大则为 10V。这使得该器件能广泛应用于不同的控制电路中，尤其适合需要 PWM （脉冲宽度调制）或线性调节的场合。它的栅极电荷 (Qg) 最大为 13.9nC @ 10V，也说明了该产品能够快速响应控制信号，提高了整机效率。
5. 应用领域
DMP4050SSS-13 广泛应用于电源管理领域，包括 DC-DC 转换器、电动机控制器、功率放大器及其他需要开关控制的电路。同时，借助它稳定的工作特性与高效率，该器件在消费类电子、汽车电子以及商业设备中都找到了广泛的应用。由于其 P 沟道的特性，DMP4050SSS-13 也适用于电路的反向电流路径，关键时刻提供安全保护。
6. 封装与安装
DMP4050SSS-13 采用 SO-8 表面贴装封装，适合需要节省空间、增强散热性能的应用场景。SO-8 封装保证了较低的热阻，适应复杂电路板的安装要求。
7. 结论
总的来说，DMP4050SSS-13 是一款功能强大的 P 沟道 MOSFET，凭借其出色的电气性能和广泛的应用范围，能够满足现代电子系统对高效率、低功率损耗和稳定性的要求。无论是在设计高效能的开关电源还是在其他要求严苛的应用中，DMP4050SSS-13 都是一款值得信赖的选择。