DMP4047LFDE-7
DMP4047LFDE-7参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 33 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.3A（Ta） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1382pF @ 20V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23.2nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
DMP4047LFDE-7手册
DMP4047LFDE-7概述
DMP4047LFDE-7 产品概述
DMP4047LFDE-7 是由美台（DIODES）公司推出的一款高性能 P 型场效应管（MOSFET），该器件专为高效的电源管理和开关应用设计。该 MOSFET 的全面参数和特性使其成为现代电子产品中不可或缺的重要组成部分。
关键特性
安装类型及封装： DMP4047LFDE-7 采用表面贴装型封装（SMD），符合 U-DFN2020-6 封装规格。这种紧凑型设计不仅节省了板材空间，还有助于提高热效率并降低电磁干扰（EMI），适用于空间受限的应用场合。
电气特性：
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，DMP4047LFDE-7 支持高达 3.3A 的连续漏极电流，保证了该器件在高电流情况下的稳定性。
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V Vgs 驱动下，其导通电阻最大为 33 毫欧，为降低功率损耗提供了良好的条件。
- 漏源电压（Vdss）：该 MOSFET 支持高达 40V 的漏源电压，使其适用于多种高压应用场合。
栅极驱动： DMP4047LFDE-7 具备优秀的栅极驱动性能，支持的 Vgs 驱动电压范围为 4.5V 至 10V。最大 Vgs 为 ±20V，确保了在各种工作条件下的可靠操作。其栅极电荷（Qg）最大值为 23.2nC（在 10V 驱动情况下），这使得器件在开关速度和效率方面表现优异。
输入电容（Ciss）： 在20V的条件下，DMP4047LFDE-7 的输入电容最大值为 1382pF，为器件的快速开关切换提供了支持。
阈值电压（Vgs(th)）： 在 Id 为 250µA 的条件下，器件的阈值电压最大为 2.2V。这意味着在该电压下，器件将开始导通，从而实现快速的开关操作。
工作温度范围： DMP4047LFDE-7 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，证明其在严苛环境下的可靠性和稳定性。该器件适用于高温和低温工作条件，能够满足军用和工业应用的需求。
功率耗散： 其最大功率耗散为 700mW，在实际应用中，合理的散热设计将确保器件的高效运行。
应用场景
DMP4047LFDE-7 MOSFET 适用的应用场景包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 直流电机控制
- LED 驱动器
- 电池管理系统
- 汽车电子
- 工业控制系统
由于其高效率和高可靠性，此款 MOSFET 已在全球多个应用领域得到广泛采用。
总结
DMP4047LFDE-7 以其卓越的电气特性和适应多种应用的灵活性，成为众多电子设计工程师和系统集成商的首选 MOSFET 产品。无论是在高效电源管理、开关控制，还是在复杂的电子系统中，DMP4047LFDE-7 都将出色地完成其任务，帮助客户实现高性能和高效率的产品设计。因此，选择 DMP4047LFDE-7，您将获得可靠、经济和高效的电子解决方案。