漏源电压(Vdss) | 40V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 10.3A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 13mΩ @ 10A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.3A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 13 毫欧 @ 10A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 68.6nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3426pF @ 20V | 功率耗散(最大值) | 1W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP4013LFGQ-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET(场效应管),适用于多种电子应用。它具有出色的电流处理能力和低导通电阻,使其在需要高效率和高可靠性的电源管理、负载开关、和电动机控制等应用中表现优异。该器件的关键参数包括漏源电压(Vdss)为 40V,最大连续漏极电流(Id)达到 10.3A,确保其能够在高电压和高电流环境下稳定工作。
漏源电压 (Vdss): 40V
连续漏极电流 (Id): 10.3A (25°C时)
导通电阻 (Rds(on)): 13 mΩ @ 10A, 10V
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250uA
栅极电荷 (Qg): 68.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss): 3426pF @ 20V
DMP4013LFGQ-7 适用于各种电子和电力系统中,其中包括但不限于:
DMP4013LFGQ-7 的优良性能与广泛的适用性使其成为电子设计中的重要一员,适合工程师在电源管理和开关应用中使用。结合其高效能与低导通电阻的特点,DMP4013LFGQ-7 为现代电子产品的性能提升和能效优化提供了强有力的支持,是各种电子项目中不可或缺的选择。