封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | FET类型 | P沟道 |
漏源极电压(Vdss) | 30V | 栅源电压 Vgss | ±12V |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 77 毫欧 @ 4.2A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 24nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 864pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 700mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 供应商器件封装 | SOT-23 |
DMP3130LQ-7是一款高性能P沟道MOSFET,专为表面贴装应用而设计,具有良好的热性能和电气参数。该元器件适用于各种电子电路,包括电源管理、开关电源、负载驱动及其他要求低导通电阻和高线性度的应用场景。DMP3130LQ-7的额定漏源极电压为30V,连续漏极电流为3.5A,使其适用于中低功率的开关模式应用。
封装类型: DMP3130LQ-7采用SOT-23封装(TO-236-3,SC-59),适合表面贴装(SMT),相对较小的体积使其在PCB设计中非常灵活。
漏源极电压 (Vdss): 30V,确保在常规电源电压下可靠工作,适合低压电源应用。
栅源电压 (Vgs): 支持的最大栅源电压为±12V,方便与各类控制电路兼容,具有较高的灵活性。
连续漏极电流 (Id): 在25°C下,1个DMP3130LQ-7可以提供高达3.5A的连续漏极电流,适用于驱动中等负载。
导通电阻 (Rds(on)): 在Vgs为10V心的条件下,DMP3130LQ-7的最大导通电阻为77mΩ @ 4.2A,低导通电阻使得该MOSFET在开关时具有较低的功耗,提高整体效率。
启动电压 (Vgs(th)): 最大值为1.3V @ 250µA,为开关电路提供了相当低的启动电压,提高了开关灵敏度。
栅极电荷 (Qg): 最大值为24nC @ 10V,提高了开关速度,降低了驱动损耗。
输入电容 (Ciss): 最大值为864pF @ 15V,保证了在开关状态下的高频响应。
功率耗散 (Pd): 最高可达700mW,适合在多种环境下工作,保证了设备的稳定性与可靠性。
DMP3130LQ-7的设计使其在多个领域具有广泛的应用潜力,具体包括但不限于:
电源管理: 适用于电源设备中的开关元件,如DC-DC转换器、线性稳压器等,因其较低的导通电阻和高开关效率。
负载驱动: 能够高效驱动各种电机、LED及其他负载,提高系统整体效率。
消费电子: 适用于通信设备、家电等消费电子产品中,用于开关电源和负载管理。
汽车电子: 可用于汽车的低压电源管理,增加车辆电子设备的稳定性和效率。
DMP3130LQ-7以其优异的电气性能和多功能的应用范围,成为了现代电子设计中不可或缺的重要元件之一。其小尺寸的SOT-23封装、强大的负载能力以及高可靠性,使其成为设计中电源管理解决方案的理想选择。无论是在消费者电子、工业设备,还是在汽车电子领域,DMP3130LQ-7提供了一种理想的方案来满足当今对高效能和高集成度的需求。