DMP3010LK3-13
DMP3010LK3-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 17A |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 8mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.7W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 59.2nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6234pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.7W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
DMP3010LK3-13手册
DMP3010LK3-13概述
DMP3010LK3-13 产品概述
1. 概述
DMP3010LK3-13是一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计旨在满足各种电子设计需求，尤其是在对高效能和小型化有要求的应用场景中。该元件由美台电子（DIODES）制造，封装采用TO-252（也称之为DPAK），使其具有良好的散热性能和易于安装的优势，适合于表面贴装（SMT）生产工艺。凭借其高达30V的漏源电压和17A的连续漏极电流，DMP3010LK3-13适用于多种电源管理和开关调节应用。
2. 主要规格
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 17A（在25°C时）
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 最低可达8mΩ（在10A，10V下测试）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.1V @ 250µA
- 最大功率耗散: 1.7W（在环境温度25°C下）
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 封装类型: TO-252（DPAK）
DMP3010LK3-13的设计使得其具有优良的电气特性，使得它在开关电源、直流-直流转换器和其他高效能电源管理应用中，尤其是涉及到负载开关以及电机控制等领域时，能够表现出色。
3. 导通特性
MOSFET的导通电阻是评估其效率的重要参数。DMP3010LK3-13在10A和10V的条件下，达到的导通电阻为8mΩ，这意味着在导通状态下其功耗极低，因此可以在较高的电流条件下工作而不会过热，从而提供卓越的性能。栅极导致阈值电压（Vgs(th)）仅为2.1V，表明在较低的驱动电压下即可实现开启，进一步减少系统的功耗和发热。
4. 栅极电荷和输入电容
DMP3010LK3-13还具备59.2nC的栅极电荷（Qg@4.5V），这使其在高频应用中具有出色的开关速度，达到更高的系统效率。其输入电容（Ciss）在15V条件下达到6234pF，为工程师提供了更大的设计灵活性，同时也有助于减少传输延迟及提高响应速度。
5. 应用领域
此MOSFET既适用于低到中等功率的应用，也能很好地满足高频和高温环境的需求。具体应用包括：
- 电源管理: DMP3010LK3-13适用于开关电源和电池管理系统，能有效控制输出进行负载匹配。
- 马达控制: 在电机控制领域，它可用作功率开关，以实现高效能的电机驱动。
- 负载开关: 适合用于各种负载开关场合，能够提供稳定可靠的开关功能。
- 便携式电子设备: 由于其小尺寸和高性能选项，该MOSFET广泛应用于移动设备和消费电子领域。
6. 结论
总之，DMP3010LK3-13是一款高效能、功能强大的P沟道MOSFET，凭借其优异的导通特性、低导通电阻和广泛的应用适应性，成为现代电子设计中不可或缺的元器件。无论是高温环境下的应用，还是对空间和功耗有严格要求的产品，DMP3010LK3-13都能提供出色的性能表现，是电子工程师设计电源系统、仪器仪表及其他高效能设备时的理想选择。