DMP22D6UT-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT523
包装 :
编带
重量 :
0.027g
描述 :
场效应管(MOSFET) 150mW 20V 430mA 1个P沟道 SOT-523
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
0.598按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.598
--
200+
￥0.412
--
1500+
￥0.374
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP22D6UT-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 430mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.1Ω @ 430mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 430mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 175pF @ 16V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
DMP22D6UT-7手册
DMP22D6UT-7概述
DMP22D6UT-7 产品概述
一、产品简介
DMP22D6UT-7 是一款高性能的 P 型沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名品牌 DIODES（美台）制造，符合现代电子设计的多种需求。该器件采用 SOT-523 表面贴装封装，具有良好的热管理特性和小型化设计，使其非常适合于空间有限的应用。
二、关键特性
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 连续漏极电流（Id）：430mA @ 25°C
- 门源极阈值电压（Vgs(th)）：1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：最大1.1Ω @ 430mA，4.5V
- 最大功率耗散：150mW @ 25°C
- 最大门源电压（Vgs）：±8V
- 输入电容（Ciss）：175pF @ 16V
- 宽工作温度范围：-55°C 至 150°C（TJ）
三、工作原理
MOSFET（场效应管）是通过电场控制的晶体管，通常用于开关和放大电路。DMP22D6UT-7 的工作原理是通过栅源极施加的电压控制漏极与源极之间的电流流动。在 P 沟道 MOSFET 中，栅源极的电压需要低于源极电压才能使器件导通，因此它非常适合于负载开关和电源管理的应用场景。
四、应用领域
DMP22D6UT-7 广泛应用于各种电子电路中，特别是在以下领域：
- 电源管理：使用 MOSFET 进行开关电源中的高效开关和调节。
- 负载开关：在便携式设备、消费电子产品以及工业设备中，控制对各种负载的电力供应。
- 信号调节：在音频和视频设备中，作为开关组件、放大器或调制解调器的关键部分。
五、技术优势
- 低导通电阻：DMP22D6UT-7 的导通电阻为 1.1Ω，使其在通电时能有较小的功率损耗，增强了整体电路的效率。
- 高耐压能力：支持 20V 的漏源电压，使其能在许多传统应用中表现出色。
- 宽工作温度范围：从 -55°C 至 150°C 的温度范围，确保其在各种极端环境下的可靠性和稳定性。
- 小型封装设计：SOT-523 封装有助于节省电路板空间，方便多元件集成。
六、典型特性曲线
典型的 DMP22D6UT-7 特性曲线展示了漏极电流（Id）随漏源电压（Vds）的变化，以及导通电阻（Rds(on)）随栅源电压（Vgs）的变化。这些曲线能够帮助设计工程师评估器件在特定应用中的性能表现。
七、总结
DMP22D6UT-7 是一款高效、小型化的 P 型沟道 MOSFET，具备良好的电气特性和广泛的应用潜力。它的低导通电阻、高耐压能力以及宽温工作范围，使其在现代电子设备中成为一个理想的选择。无论是在电源管理、负载开关还是信号调节方面，DMP22D6UT-7 都能满足设计工程师的需求，为下一代电子产品提供可靠的性能支持。