DMP2240UW-7
DMP2240UW-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.5A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 150mΩ @ 2A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 2A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 320pF @ 16V |
| 功率耗散（最大值） | 250mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMP2240UW-7手册
DMP2240UW-7概述
DMP2240UW-7 产品概述
一、产品简介
DMP2240UW-7 是一种高性能的 P 通道 MOSFET，广泛应用于电子设备中，具备优良的开关特性和低导通损耗。该器件由美台半导体（Diodes Incorporated）生产，封装类型为 SOT-323，适合表面贴装应用。其独特的特性使其成为功率管理、开关电源以及各种模拟电路的理想选择。
二、主要参数
漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的漏源电压为 20V，适用于低电压环境下的应用。这一电压范围使其特别适合于移动设备、电池供电的产品以及快速开关应用。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，DMP2240UW-7 的连续漏极电流最大可达 1.5A。这种能力使其能够满足大部分功率输出要求，即使在相对小型的封装中。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该 MOSFET 的栅源极阈值电压为 1V，意味着它在仅需微小的栅电压下即可开启。较低的阈值电压使得该器件非常适合浅栅电压驱动的电路。
导通电阻 (Rds(on)): DMP2240UW-7 的漏源导通电阻为 150mΩ（在 2A 和 4.5V 时），这使得器件在导通状态下的功耗非常低，提升了整体效率并减少了热量产生。
工作温度范围: DMP2240UW-7 可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作，适合在严苛的环境条件下使用，尤其是在汽车电子和工业控制应用中。
最大功率耗散: 器件在 25°C 时的最大功率耗散为 250mW，确保其在正常工作条件下不会超出安全功耗范围。
封装类型: SOT-323 封装不仅小型化，便于在空间受限的应用中使用，还支持自动化贴片生产，提高了生产效率。
三、应用场景
DMP2240UW-7 专为需要高效能与小型封装的应用而设计。主要应用场景包括但不限于：
便携设备: 如智能手机、平板电脑和手持设备等，能够有效控制电流与能量的分配。
电池驱动的应用: 支持锂电池管理系统，确保安全与高效的电源管理。
开关电源供应(PSU): 可用于 DC-DC 转换器及其他电源解决方案，优化能量使用与减少环境影响。
汽车电子: 自动驾驶系统或其他汽车智能控制系统，保障组件在高温环境下的稳定性。
工业控制: 在各种控制系统中提供可靠的开关与功率管理解决方案。
四、总结
DMP2240UW-7 是一款出色的 P 通道 MOSFET，具有广泛的应用前景，其卓越的电气特性和耐高温性能使其成为现代电子设计的优选元件。无论是在便携式设备、汽车电子还是工业应用中，该 MOSFET 都能够提供卓越的性能与稳定性，助力设计工程师实现高效、可靠的电源管理解决方案。随着电子设备的不断发展，DMP2240UW-7 将继续在相关应用中展现其价值，推动技术进步。
选择 DMP2240UW-7，即可获得设计和制造的最佳支持，满足现代应用对高效能和可靠性的严格要求。