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DMP1046UFDB-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
U-DFN2020-6
包装 :
编带
重量 :
0.015g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.4W 12V 3.8A 2个P沟道 U-DFN2020-6D
库存 :
10766(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
0.946按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.946
--
200+
￥0.652
--
1500+
￥0.593
--
3000+
￥0.554
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP1046UFDB-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.8A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 61mΩ @ 3.6A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.4W | 类型 | 双P沟道 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 61 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.9nC @ 8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 915pF @ 6V | 功率 - 最大值 | 1.4W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（B 类） |
DMP1046UFDB-7手册
DMP1046UFDB-7概述
产品概述：DMP1046UFDB-7
一、基本信息
DMP1046UFDB-7 是由 DIODES（美台）出品的一款双 P 沟道场效应管（MOSFET），广泛应用于各类电源管理和开关电路中。这款 MOSFET 具有出色的性能，特别适合于需要高效率和低功耗的设计。在最新的电子设备中，对电能的节约与管理变得越来越重要，因此选择合适的 MOSFET 将显著影响整体性能和能耗。
二、关键参数
- 漏源电压（Vdss）： 该器件的漏源电压可达 12V，适用于多种低压电源应用场景。
- 连续漏极电流（Id）： 在环境温度为 25°C 的情况下，其连续漏极电流可达 3.8A，这意味着其在承载负载时具有较强的能力，能够支持多种负载工作。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 该值在 1V @ 250µA，意味着在很低的栅源电压下，这个 MOSFET 就能导通，适合用于低门槛电压的应用。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）： 这项指标为 61mΩ @ 3.6A 和 4.5V，较低的导通电阻有助于减少能量损失以及发热，从而提高整体效率。
- 最大功率耗散： 器件在 25°C 时的最大功率耗散为 1.4W，确保其在高负载条件下的安全使用。
- 工作温度范围： 其工作温度覆盖 -55°C 至 150°C，适应于严苛环境下的应用。
三、封装与安装
DMP1046UFDB-7 采用 U-DFN2020-6 表面贴装型封装，具有 6 个引脚，易于批量生产及自动化组装。该封装设计有效减小了器件的占用空间，满足对空间要求苛刻的小型电子设备的需求，同时裸露焊盘设计也有助于提升热导性能。
四、应用场景
DMP1046UFDB-7 作为一种高性能的 MOSFET，应用场景极为广泛，常见的应用包括：
- DC-DC 转换器： 该器件能够在开关电源中高效工作，提高转换效率，降低热损耗。
- 电池管理系统： 在电池充放电过程中的电流控制和保护中发挥关键作用，确保电池的安全与性能。
- 智能家居设备： 与各类传感器和控制电路结合，助力智能化方案的开发。
- 电机驱动： 在小功率电机驱动电路中，搭配其他电路元件实现高效控制。
五、总结
凭借其低导通电阻、较宽的工作温度范围及优良的功率处理能力，DMP1046UFDB-7 是一款非常热适应能力强、性能可靠的双 P 沟道 MOSFET。适合各种需要低开关损耗和高效率的应用场合，包括但不限于电源管理、变换器设计、以及电池和电机控制等方面。无论是在消费电子还是工业设备中，DMP1046UFDB-7 都能够提供稳定、可靠的性能，帮助工程师实现更高效的设计解决方案。