DMP1005UFDF-7
DMP1005UFDF-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 26A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 8.5mΩ @ 5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.1W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.5 毫欧 @ 5A, 4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 47nC @ 8V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2475pF @ 6V | 功率耗散（最大值） | 2.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（F 类） | 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMP1005UFDF-7手册
DMP1005UFDF-7概述
DMP1005UFDF-7 产品概述
一、概述
DMP1005UFDF-7是由美台（DIODES）公司生产的一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件专为需要高效率和高功率处理能力的应用而设计，特别适合用于电源管理、DC-DC转换器、功率开关以及其他需要主控开关的电路。DMP1005UFDF-7的主要特点包括低导通电阻和高电流容量，能够有效提升电路的整体性能，并减少发热问题。
二、主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 12V
- 连续漏极电流（Id）: 26A（在25°C时，带冷却条件下可达到更高电流水平）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 8.5mΩ @ 5A, 4.5V
- 最大功率耗散（Pd）: 2.1W (在25°C环境温度下)
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 驱动电压: 1.8V到4.5V
三、性能特点
低导通电阻: DMP1005UFDF-7的导通电阻仅为8.5mΩ，这使其在导通状态下能够大幅降低功率损耗，提高整体效率。较低的导通电阻对于高频率开关应用尤为重要，能够有效减小开关损耗。
高功率处理能力: 该器件最大功率耗散达到了2.1W，保证了其在高负载条件下的稳定性。此特性使得DMP1005UFDF-7适用于需要高功率输出的应用场景。
宽工作温度范围: DMP1005UFDF-7的工作温度范围可达-55°C至150°C，适用于各种恶劣环境下的应用。这项特性令其在工业、汽车及其他高温应用中表现出色。
小型封装设计: 该MOSFET采用了6-UDFN裸露焊盘的封装形式，便于在空间受限的设备中使用。其表面贴装类型（SMD）设计还有助于更高的组装效率，适合现代电子设备的小型化趋势。
高栅极电荷: DMP1005UFDF-7具有最大栅极电荷(Qg)为47nC @ 8V，说明其在动态开关过程中能快速反应，减少开关延迟，提高整体开关效率。
四、应用场合
DMP1005UFDF-7特别适用于以下几种应用：
DC-DC转换器: 在高效能DC-DC转换器中，P沟道MOSFET作为主开关器件能够有效调节输出电压，提高转换效率。
电源管理: 该器件能够在电源管理电路中，起到负载开关控制、功率分配等作用，适合用于各种消费类和工业应用。
功率开关: 适用于电动机驱动和驱动设备中作为开关，能够承受高电流和允许快速开关操作。
汽车电子: 由于其广泛的工作温度范围，该器件可以应用于汽车内部如电动机控制单元和动力管理系统等领域。
五、总结
DMP1005UFDF-7是一款高效、可靠的P沟道MOSFET，适用于多种应用环境。这款器件通过其低导通电阻、高功率处理能力和宽泛的工作温度适应性，为设计师提供了一种理想的解决方案。无论是在电源管理、电动机控制还是新兴的电动汽车技术中，DMP1005UFDF-7都展示了其卓越的性能和强大的市场潜力。选择DMP1005UFDF-7，您将获得高效能、可持续的电子系统设计体验。