漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3.3A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 66mΩ @ 4.5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.8W | 类型 | 双N沟道 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.3A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 66 毫欧 @ 4.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.3nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 502pF @ 30V | 功率 - 最大值 | 1.8W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SO |
DMN6066SSD-13是一款高性能的双N沟道场效应管(MOSFET),专为各种电子应用而设计,具备优异的电气特性和可靠性。该产品由美台(DIODES)公司出品,广泛应用于功率管理、电源转换、开关电源、LED驱动以及各种需要高频开关的场合。
电压和电流规格:
导通电阻和功率耗散:
工作温度和封装:
栅极特性:
电容特性:
DMN6066SSD-13适用于广泛的应用领域,具体包括:
总的来看,DMN6066SSD-13是一款性价比高、性能优越的双N沟道MOSFET,凭借其高漏源电压、低导通电阻和较大的工作温度范围,广泛适用于各类电子产品设计中。无论是在功率管理、电动机控制还是LED驱动等领域,DMN6066SSD-13都能够提供可靠的性能和卓越的效率,是设计师和工程师的理想选择。