DMN4035L-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.023g
描述 :
场效应管(MOSFET) 720mW 40V 4.6A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
3594(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.81按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.81
--
200+
￥0.558
--
1500+
￥0.507
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN4035L-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 574pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 720mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN4035L-7手册
DMN4035L-7概述
产品概述：DMN4035L-7 N通道MOSFET
一、产品概述
DMN4035L-7是一款高性能的N通道MOSFET，适用于多种电子应用，特别是在高频和高效能电源系统中。由美台（DIODES）公司生产，该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，具有出色的电流承载能力和低导通电阻特性，使其在紧凑的空间中提供优异的电气性能。
二、技术规格
- FET类型：N通道
- 技术类型：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 最大连续漏极电流（Id @ 25°C）：4.6A
- 驱动电压：4.5V（最大Rds On时）至10V（最佳性能）
- 导通电阻（Rds(on)）：在Vgs = 10V、Id = 4.3A时，导通电阻最高可达42毫欧
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值3V（@ 250µA）
- 栅极电荷（Qg）：在10V时最大为12.5nC
- 最大Vgs电压：±20V
- 输入电容（Ciss）：在20V下最大为574pF
- 功率耗散：最大为720mW
- 工作温度范围：-55°C至150°C（TJ）
- 封装类型：表面贴装型SOT-23-3，TO-236-3，SC-59
- 品牌：DIODES（美台）
三、应用场景
DMN4035L-7的设计使其非常适合多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：用于开关电源、DC-DC转换器等高能效电源设计中，能够有效降低功耗并提高转换效率。
- 驱动电路：可在电机驱动、LED驱动等场景中应用，提供强力的开关性能和稳定的输出。
- 消费电子：适用于笔记本电脑、手机和其他便携式电子设备中的电源管理系统。
- 自动化控制：广泛应用于工业控制和自动化领域，提高设备的控制效率。
- 信号放大：在一些高频信号的放大与处理电路中，DMN4035L-7也能提供高频性能。
四、产品优势
- 热管理能力强：其最大功率耗散达到720mW，使得该元器件能够在高温和高负载条件下稳定工作。
- 低导通电阻：42毫欧的导通电阻显著降低了功耗和热生成，提升了电路的整体效率。
- 高工作温度范围：能够在-55°C至150°C的广泛温度范围内运行，对工作环境适应性极强，适合极端环境。
- 小型化封装：SOT-23封装设计使其在空间受限的电路板上也能方便安装，符合现代电子设备对小型化的需求。
- 卓越的开关性能：低栅极电荷和较短的开关时间，使得DMN4035L-7在快速开关应用中展现出良好的效率。
五、总结
DMN4035L-7 N通道MOSFET以其超卓的电气性能和良好的热管理能力，成为了各类电源管理和信号处理电路设计中的理想选择。无论是在消费者电子、工业自动化，还是在电源转换系统中，该器件都能提供高效、可靠的解决方案，满足现代电子产品对功率、尺寸及成本的多重要求。选择DMN4035L-7，将确保您的设计在性能和可靠性方面达到行业顶尖水平。