DMN33D8LT-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMN33D8LT-13

商品编码: BM0000280886
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 240mW 30V 115mA 1个N沟道 SOT-523
库存 :
5371(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.384
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.384
--
500+
¥0.257
--
5000+
¥0.223
--
10000+
¥0.199
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN33D8LT-13参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 欧姆 @ 10mA,4V
技术MOSFET(金属氧化物)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)115mA(Ta)FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)48pF @ 5VVgs(最大值)±20V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值).55nC @ 10V
漏源电压(Vdss)30V功率耗散(最大值)240mW(Ta)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 100µA

DMN33D8LT-13手册

DMN33D8LT-13概述

DMN33D8LT-13 产品概述

DMN33D8LT-13 是一款高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),主要用于低功率开关和放大应用。该元器件特别设计为表面贴装型(SMD),适合现代小型化电子设备的需求。其主要特性包括较低的导通电阻、宽广的工作温度范围和良好的电压承受能力,使得该元器件在各种消费者电子、汽车电子和工业应用中表现出极高的可靠性。

基本参数

DMN33D8LT-13 的主要参数如下:

  • 安装类型: 表面贴装型(SMD)
  • 最大导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs = 4V 时导通电阻为 5 欧姆(最大值),在 Id = 10mA 的条件下测试,意味着该 MOSFET 在低电压驱动情况下也能维持较低的功耗。
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),具备快速开关能力和良好的热稳定性。
  • 驱动电压: 此 MOSFET 在 2.5V 至 4V 的驱动电压范围内工作,支持低电压操作,提高了系统的能效。
  • 25°C 时的连续漏极电流 (Id): 达到 115mA,意味着该电子元器件在标准室温条件下可承受的电流强度。

特性与性能

DMN33D8LT-13 的许多特性使其特别适合高效能和小型化的电子设计:

  • 漏源电压 (Vdss): 30V,适合大多数低压应用场合,包括汽车和工业自动化控制系统。
  • 输入电容 (Ciss): 达到 48pF(在 Vgs = 5V 下),表明在高频应用中的开关速度表现良好,有助于减小开关损耗。
  • 栅极电荷 (Qg): 0.55nC(在 Vgs = 10V 下),显示了该 MOSFET 的高效率和快速响应时间,适合高频和高速开关应用。
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C,广泛的工作温度范围适应各种恶劣环境。

应用领域

DMN33D8LT-13 适合多种应用场景,包括但不限于:

  1. 便携式电子设备: 由于其小型化设计和出色的能效,该元器件非常适合手机、平板电脑和其他便携设备中的电源管理和负载开关。

  2. 汽车电子: 在汽车的电源管理系统及控制电路中,DMN33D8LT-13 能有效应对高温和高电压的工作环境。

  3. 工业设备: 在机器人及自动化设备中,凭借其低导通损耗和高可靠性,该元器件能不断提高系统整体的运行效率。

  4. LED 驱动器: 由于其快速开关特性和高效能,DMN33D8LT-13 也被广泛用于 LED 照明系统的驱动电路中,帮助实现精确的亮度控制和节能效果。

总结

DMN33D8LT-13 N 沟道 MOSFET 是一款高度集成且功能强大的电子元器件,适用于多种低功率开关应用。其低导通电阻、高电流承载能力和广泛的工作温度范围,使得它在现代电子设备设计中赢得了极大的欢迎。由于其在不同环境条件下的一致性能,DMN33D8LT-13 为设计师和工程师提供了可靠的解决方案,加速了创新与产品研发的进程。选择 DMN33D8LT-13,将意味着在性能、效率与可靠性之间取得最佳平衡。