安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 欧姆 @ 10mA,4V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 115mA(Ta) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 48pF @ 5V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .55nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 功率耗散(最大值) | 240mW(Ta) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 100µA |
DMN33D8LT-13 是一款高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),主要用于低功率开关和放大应用。该元器件特别设计为表面贴装型(SMD),适合现代小型化电子设备的需求。其主要特性包括较低的导通电阻、宽广的工作温度范围和良好的电压承受能力,使得该元器件在各种消费者电子、汽车电子和工业应用中表现出极高的可靠性。
DMN33D8LT-13 的主要参数如下:
DMN33D8LT-13 的许多特性使其特别适合高效能和小型化的电子设计:
DMN33D8LT-13 适合多种应用场景,包括但不限于:
便携式电子设备: 由于其小型化设计和出色的能效,该元器件非常适合手机、平板电脑和其他便携设备中的电源管理和负载开关。
汽车电子: 在汽车的电源管理系统及控制电路中,DMN33D8LT-13 能有效应对高温和高电压的工作环境。
工业设备: 在机器人及自动化设备中,凭借其低导通损耗和高可靠性,该元器件能不断提高系统整体的运行效率。
LED 驱动器: 由于其快速开关特性和高效能,DMN33D8LT-13 也被广泛用于 LED 照明系统的驱动电路中,帮助实现精确的亮度控制和节能效果。
DMN33D8LT-13 N 沟道 MOSFET 是一款高度集成且功能强大的电子元器件,适用于多种低功率开关应用。其低导通电阻、高电流承载能力和广泛的工作温度范围,使得它在现代电子设备设计中赢得了极大的欢迎。由于其在不同环境条件下的一致性能,DMN33D8LT-13 为设计师和工程师提供了可靠的解决方案,加速了创新与产品研发的进程。选择 DMN33D8LT-13,将意味着在性能、效率与可靠性之间取得最佳平衡。