DMN3150L-7
DMN3150L-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 28V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.8A |
| 栅源极阈值电压 | 1.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 85mΩ @ 3.6A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.4W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 3.6A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 305pF @ 5V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN3150L-7手册
DMN3150L-7概述
DMN3150L-7 产品概述
一、产品简介
DMN3150L-7 是一款高性能N沟道MOSFET，专为低电压和中等功率应用设计。该器件广泛应用于各种电子电路中，例如电源管理、开关电路、马达驱动和LED驱动等。作为一款采用 SOT-23 封装的表面贴装型器件，DMN3150L-7 在空间受限的电子设备中具有显著的优势。
二、技术参数
漏源电压（Vdss）: 28V
该参数表明 DMN3150L-7 能够承受的最大漏源电压为28伏特，适用于大多数低压电源应用。连续漏极电流（Id）: 3.8A （25°C 环境下）
此参数显示该器件在常温下的最大持续电流，使其非常适合用于需要处理较大电流的应用。栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.4V @ 250µA
栅源极阈值电压是MOSFET变为导通状态的最低栅源电压，较低的阈值电压有助于简化门驱动电路设计。漏源导通电阻（Rds(on)）: 85mΩ @ 3.6A, 4.5V
低导通电阻意味着在导通时，DMN3150L-7 会有较小的功率损耗，提升效率并降低发热。最大功率耗散: 1.4W （在25°C环境下）
该规格帮助设计者评估器件在特定工作条件下的热管理需求。工作温度范围: -55°C ~ 150°C
宽广的工作温度范围使得该MOSFET在各种恶劣环境下仍能正常工作，满足军事和航空航天等高级别应用的要求。供应商器件封装: SOT-23
SOT-23封装设计紧凑，适合高密度的PCB布局，提高电路板的空间利用率。
三、应用领域
DMN3150L-7 MOSFET可被广泛应用于各类场合，包括但不限于：
- 电源开关：在DC-DC转换器和电源管理电路中，DMN3150L-7可用作开关元件，提升效率和稳定性。
- 马达控制：其高电流处理能力使其适合于小型DC马达的驱动，提供良好的控制性能。
- LED驱动：用于控制LED灯的开关功能，确保可靠且高效的光源管理。
- 电池管理系统：可用作电池充电和放电电路中的开关元件，提高电池使用效率。
四、性能优势
- 高效能：DMN3150L-7 的低导通电阻和高电流承载能力，使其在开关电源应用中表现出色，有效降低功耗和发热。
- 高度集成：SOT-23封装小巧，适合高密度电路设计，增强了产品的集成度和可靠性。
- 宽工作温度：宽广的工作温度范围确保其在多种环境下都能稳定运行，适应不同应用的需求。
五、总结
DMN3150L-7是一款性能卓越的N沟道MOSFET，凭借其优良的电气特性和广泛的应用潜力，已在多个电子设计中得到了广泛的采用。其小巧的SOT-23封装、良好的散热性能和高效的电流管理能力，使其成为各种现代电子设备中可靠且高效的选择。通过合理的设计和应用，DMN3150L-7能够帮助工程师们在提高性能的同时，降低系统的复杂度和功耗，为电子产品的优化发展提供支持。