DMN3051L-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 700mW 30V 5.8A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
0.594按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.594
--
200+
￥0.383
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1500+
￥0.333
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3000+
￥0.295
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN3051L-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.8A |
| 栅源极阈值电压 | 2.2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 38mΩ @ 5.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 700mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 38 毫欧 @ 5.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 424pF @ 5V |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN3051L-7手册
DMN3051L-7概述
产品概述：DMN3051L-7 N沟道MOSFET
基本信息
DMN3051L-7 是一款由DIODES公司出品的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为广泛的电子应用而设计。该器件具有工作电压最高可达30V，连续漏极电流可达到5.8A，适合高效电源管理及开关应用。
关键规格
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 5.8A（在25°C环境下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.2V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 38mΩ @ 5.8A, 10V
- 最大功率耗散: 700mW（在25°C环境下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 驱动电压: 4.5V, 10V
- 封装类型: SOT-23-3
技术优势
高效率: DMN3051L-7 的低导通电阻（38mΩ）确保了在高电流负载情况下的高能效，降低了功耗和发热，适合用于需要长期稳定性能的应用。
广泛的电压和温度范围: 该器件能够在-55°C至150°C的宽广温度范围内正常工作，提供了优秀的适应性，可应用于外部环境较为恶劣的场景。
紧凑的封装: SOT-23封装设计使其在有限的电路板空间内提供高性能，适用于空间敏感型设计，特别是在便携式和消费类电子产品中。
易于驱动: 具有较低的栅源极阈值电压和适中的驱动电压要求（4.5V, 10V），使得在各种逻辑电平下均能快速切换，满足高频脉冲操作需求。
应用场景
DMN3051L-7 MOSFET尤其适用于以下应用领域：
- 电源管理: 充电器、DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统中，能够有效地控制电流流动，保持高效率。
- 开关电路: 在电子开关和继电器驱动应用中，提供必要的电流能力，确保稳定的互动控制。
- 马达驱动: 被广泛应用于小型电机的驱动系统中，用于实现高效的电动机控制。
- 消费类电子: 用于各种消费电子产品，如智能手机、平板电脑和其他嵌入式设备，有助于提高产品的性能和能效。
结论
DMN3051L-7是一款性能强大的N沟道MOSFET，凭借其优秀的电气特性、广泛的工作温度范围及紧凑的封装设计，适用于多种电子应用，是电源管理、开关电路及马达驱动等领域的理想选择。通过选择DMN3051L-7，工程师和设计师能够在确保可靠性的同时，实现高效能和较低的功耗，为最终产品的性能提升提供强有力支持。