DMN2500UFB4-7
DMN2500UFB4-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 810mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 400mΩ @ 600mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 460mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 810mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .74nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60.67pF @ 16V | 功率耗散（最大值） | 460mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 | 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMN2500UFB4-7手册
DMN2500UFB4-7概述
DMN2500UFB4-7 产品概述
DMN2500UFB4-7 是一款高性能的N通道MOSFET（场效应管），由知名品牌DIODES（美台）制造，专为各种电子设备中占用空间最小的应用而设计。该器件具有优秀的电气特性和优异的功耗处理能力，广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动及其他需要高效功率控制的场合。
主要技术规格
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的漏源电压为20V，适用于低压应用，具备良好的耐压性能。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，该器件的连续漏极电流可达810mA，显示出优秀的负载能力，为中小功率应用提供了可靠的解决方案。
导通电阻（Rds(on)）: 在4.5V栅源电压、600mA漏极电流下，该MOSFET的导通电阻为400mΩ，确保了低功耗和高效能操作，降低了开关损耗和发热。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的栅源极阈值电压为1V @ 250µA，表明其能够从低电压快速导通，适合于低供电电压的应用。
最大功率耗散: 此款MOSFET在25°C环境温度下的最大功率耗散为460mW，能够有效地管理功率，防止过热现象。
工作温度范围: DMN2500UFB4-7的工作温度范围为-55°C到150°C，适合各种严苛环境下的电子设备，能够确保在不同温度条件下的可靠性与稳定性。
封装类型: 这一器件采用表面贴装型的3-XFDFN封装（X2-DFN1006-3），体积小巧，适用于高密度装配的电路板，能够有效提高设计的紧凑性和性能。
驱动电压: 该设备在不同条件下有多种驱动电压标准，包括1.8V和4.5V，大大便利了系统设计人员按需选择适合的工作电压。
输入电容 (Ciss): 在16V的条件下，其输入电容达到60.67pF，低输入电容值有利于提高开关速度，减小延迟。
应用场景
DMN2500UFB4-7因其高效能和优越特性，在多个领域中有广泛应用，包括：
- 电源管理: 用于开关电源和DC-DC转换器，优化电能转换效率。
- 马达控制: 可作为马达驱动电路中的开关元件，提供精确的控制与稳定的电流输出。
- 高频开关电路: 该器件非常适用于高频转换和开关操作中，保障信号传输的质量。
- 消费电子产品: 在手机、平板、笔记本电脑等消费类电子中也可见到其身影，提供出色的效能与可靠性。
结论
DMN2500UFB4-7是一款结合了高效性能、低功耗和广泛应用场景的MOSFET，是现代电子设计中不可或缺的选择。其优异的电气特性、稳定的工作温度范围以及紧凑的封装设计都使其在设计工程师中备受青睐。随着电子技术的不断进步，DMN2500UFB4-7将继续为各类电子设备提供可靠的性能支持，推动行业的发展和创新。