漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3.4A |
栅源极阈值电压 | 1.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 72mΩ @ 3.6A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 760mW | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 72 毫欧 @ 3.6A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.8nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 292pF @ 10V | 功率耗散(最大值) | 760mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
DMN2046U-7 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有优异的电气性能和广泛的应用前景。该器件的主要参数包括最大漏源电压(Vdss)为 20V、连续漏极电流(Id)为 3.4A,以及漏源导通电阻(Rds(on))为 72mΩ,这使其在低功耗和高效率的电子设备中表现出了极好的应用潜力。
DMN2046U-7 采用现代 MOSFET 技术,具备低导通电阻和相关阈值电压的优点,使其在需要高效切换和低功耗的应用中表现突出。栅源极阈值电压仅为 1.4V,适合用于低电压驱动的应用场景,降低了丧失功率并提高了整体效率。此外,其低 Rds(on) 值可减少在实际应用中的热量产生,从而帮助提升设备的可靠性和耐用性。
在驱动电压方面,该器件支持2.5V到4.5V的范围,可以满足多种驱动电平的需要。通过精确控制栅极电压,用户可以灵活操作此 MOSFET,特别是在用于开关电源、 DC-DC 转换器和马达驱动等应用场合。
DMN2046U-7 适用的领域广泛,包括:
DMN2046U-7 采用 SOT-23 表面贴装封装,尺寸小且便于自动化生产,适合大量生产的小型电子设备。该封装设计提高了热散失性能,适应更高的功率需求,使得用户在设计紧凑型电路板时可以更加灵活。
总体来说,DMN2046U-7 是一款在多种应用场景中表现出色的 N 沟道 MOSFET,其低导通电阻、高效的电流控制能力、广泛的适用温度范围以及出色的热性能,使其成为电源管理、电机驱动以及其他高效电子设备的理想选择。无论是在消费类电子、工业控制还是自动化设备中,DMN2046U-7 均能够提供稳定可靠的性能,帮助设计师实现高效率的电路解决方案。