DMN2016LHAB-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
UDFN20306
包装 :
编带
重量 :
0.04g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.2W 20V 7.5A 2个N沟道 U-DFN2030-6-EP
库存 :
54(起订量1,增量1)
批次 :
5年外数量 :
X
1.13按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.13
--
200+
￥0.867
--
1500+
￥0.754
--
3000+
￥0.655
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2016LHAB-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7.5A |
| 栅源极阈值电压 | 1.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 15.5mΩ @ 4A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.2W | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.5A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15.5 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1550pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 1.2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | U-DFN2030-6 |
DMN2016LHAB-7手册
DMN2016LHAB-7概述
产品概述：DMN2016LHAB-7
一、背景与应用
DMN2016LHAB-7 是一款由知名半导体制造商 DIODES（美台）生产的双 N 沟道场效应晶体管 (MOSFET)。随着现代电子设备对功率管理和节能要求的不断提高，这款器件广泛用于开关电源、直流-直流转换器、马达驱动和其他低电压应用领域。其能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，是高效能电路设计的理想选择。
二、关键参数
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 连续漏极电流 (Id)：7.5A @ 25°C
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：1.1V @ 250µA
- 导通电阻 (Rds(on))：15.5mΩ @ 4A, 4.5V
- 最大功率耗散：1.2W @ Ta=25°C
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装类型：U-DFN2030-6，表面贴装
三、技术特性分析
电流承载能力与导通电阻
DMN2016LHAB-7 在 25°C 条件下可承受最高 7.5A 的连续漏极电流，结合其低导通电阻（15.5mΩ @ 4A, 4.5V），能够有效减少功率损耗，提升电源效率。这使得该器件在高电流密度应用中表现出色，尤其适用于高频开关电源。栅源极阈值电压
该产品具有相对较低的栅源极阈值电压（1.1V @ 250µA），适合逻辑电平驱动，使得它可以与微控制器和其他逻辑电路无缝匹配，简化了驱动电路的设计，并降低了系统功耗。高温环境中的可靠性
DMN2016LHAB-7 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，适合在恶劣的环境条件下工作。这一特性特别适合航空航天、汽车等需要高可靠性的应用场合。紧凑的封装设计
采用 U-DFN2030-6 封装，器件尺寸小，焊盘裸露设计有助于实现更好的热管理和电源密度。这种紧凑的封装设计使得 DMN2016LHAB-7 能够在空间有限的应用中发挥重要作用。
四、实际应用场景
DMN2016LHAB-7 的广泛应用包括但不限于：
- DC/DC 转换器：可以有效实现电源的可调输出，特别是在便携式电子设备中，呼应了对续航时间和充电速度日益增长的需求。
- 马达驱动：在电机控制中，它可以作为高效的开关元件，控制电机的启停及转速，增强设备的整体性能。
- 开关电源：在电源模块中充当主开关，提高功率效率，满足高功率应用需求。
五、总结
总的来说，DMN2016LHAB-7 以其出色的电气性能、宽广的工作温度范围和小巧的封装设计，成为众多电子设计师和工程师值得信赖的选择。该 MOSFET 完美结合了高效能与灵活性，为各种现代电子应用提供了可靠的解决方案。其在高电流开关应用中的突出表现，使其在市场中具有强大的竞争力，是追求性能与效率的理想器件。