DMN13H750S-7
DMN13H750S-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 130V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 750mΩ @ 2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 770mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 750 毫欧 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.6nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 231pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 770mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN13H750S-7手册
DMN13H750S-7概述
DMN13H750S-7 产品概述
DMN13H750S-7 是一款由 DIODES（美台）制造的高性能 N 沟道 MOSFET，广泛应用于各类电子设备中，满足用户对高效能和可靠性的需求。其特点包括低导通电阻、较高的漏源电压及额定电流，使其成为现代电子设计中不可或缺的重要元器件。
基本参数
漏源电压 (Vdss): 130V DMN13H750S-7 的漏源电压等级高达 130V，使其适合应用于中高压电路。此特性对于电源管理、电机驱动和照明控制电路等场合尤为重要，能够有效防止因高电压引起的元件损坏。
连续漏极电流 (Id): 1A (25°C 时) 该器件在 25°C 的环境温度下可承受持续的漏极电流高达 1A，适合各种负载条件下运行，确保其在多种应用场景中的稳定性。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA DMN13H750S-7 的栅源极阈值电压为 4V，使其能够在较低的栅压下导通，符合现代低电压驱动电路的需求，降低了整体功耗。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 750mΩ @ 2A, 10V 其导通电阻低至 750mΩ，意味着在工作时能有效降低能量损耗和热量产生，提升效率和元器件的长寿命。此特性对于电源转换和保护电路尤为重要。
最大功率耗散: 770mW (Ta=25°C) DMN13H750S-7 的最大功率耗散为 770mW，使其在高效散热环境下运行良好，也能在各种电子应用中保持稳定工作。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C 此广泛的工作温度范围使器件适用多种极端环境，特别适合航空航天、汽车电子以及工业控制等对温度敏感的应用场合。
封装与安装
封装类型: SOT-23 (TO-236-3, SC-59) SOT-23 封装使 DMN13H750S-7 在 PCB 设计上占用较少空间，适合紧凑型设备及移动设备的集成设计。
安装方式: 表面贴装型 此设计便于自动化生产和提高装配效率，降低了制造成本，同时确保元件在电路板上的紧密连接。
应用场景
DMN13H750S-7 的高性能特性使其适合于以下领域：
电源管理 该 MOSFET 在开关电源、DC-DC 转换器和线性电源中应用广泛，能够有效调节电压和电流，提高电能利用率。
电机驱动 适用于无刷直流电机和步进电机的驱动电路，能够实现高效的控制和保护。
汽车电子 能够承受苛刻的运行环境，适合用于电动汽车、汽车控制单元和负载驱动等领域。
工业自动化 在工业设备和控制系统中，DMN13H750S-7 可用于阀门控制、传感器供电和信号处理等。
总结
DMN13H750S-7 是一款性能优秀的 N 沟道 MOSFET，凭借其高漏源电压、低导通电阻和广泛的工作温度范围，在多种应用场合中表现出色。无论是在电源管理系统，还是在电机驱动和工业自动化等领域，该器件的可靠性和效率都能够为设计者提供强有力的支持。通过不断满足现代电子设备的高效能及紧凑性的需求，DMN13H750S-7 成为工程师们理想的选择。