DMN1150UFB-7B
DMN1150UFB-7B参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.41A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 150mΩ @ 1A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 500mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.41A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 1A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.5nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 106pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 3-X1DFN1006 | 封装/外壳 | 3-UFDFN |
DMN1150UFB-7B手册
DMN1150UFB-7B概述
DMN1150UFB-7B 产品概述
产品类型及应用
DMN1150UFB-7B是一款高性能N沟道MOSFET（场效应管），其设计旨在满足现代电子设备在高效和高可靠性领域的需求。此器件广泛适用于电源管理、开关电路、马达驱动和LED驱动等多种电子应用，尤其在要求较低导通电阻和良好热性能的应用场景中表现优异。
基本参数
DMN1150UFB-7B的漏源电压（Vdss）为12V，支持的连续漏极电流（Id）在25°C时可达1.41A。这意味着该MOSFET能够在相对较低的电压下，提供稳定的电流输出，适合于需要高效率和较低能耗的应用。在低电压下，DMN1150UFB-7B能够在多种条件下工作，而不会产生过高的发热。
导通电阻及功率耗散
在电流为1A且栅源电压为4.5V时，此MOSFET的最大导通电阻（Rds(on)）为150mΩ，这一低导通电阻确保了电流传输的高效率，降低了能量损耗和热量产生。此外，DMN1150UFB-7B的最大功率耗散为500mW（在环境温度Ta=25°C时），保障器件的工作稳定性，以便在长时间运行下也不会出现过热或故障。
阈值电压及驱动电压
DMN1150UFB-7B的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为1V（@250µA），表明在较低的栅源电压下就能有效切换，适合于低电压驱动的应用。此外，此器件在不同栅源电压下的导通性能良好，驱动电压范围为1.8V至4.5V，提供更大的选择空间，以适应不同电源电路设计中的要求。
热特性与工作温度范围
该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，确保其在极端环境条件下也能可靠工作。这样的热特性使得DMN1150UFB-7B可以广泛应用于航空航天、汽车及工业控制等领域，确保在高温或低温条件下依然能够稳定工作。
封装与安装
DMN1150UFB-7B采用X1-DFN1006-3封装，具有表面贴装型设计，尺寸小巧（0.6mm x 1.0mm），方便集成在多种电路板设计中，极大地节省了空间，且便于自动化生产。在现代微型化电子产品中，采用这种小型封装成为设计上的一个重要优势。
性能指标总结
- 漏源电压（Vdss）：12V
- 连续漏极电流（Id @ 25°C）：1.41A
- 导通电阻（Rds(on) @ 4.5V）：150mΩ
- 最大功率耗散：500mW
- 栅源极阈值电压（Vgs(th) @ 250µA）：1V
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装类型：X1-DFN1006-3
结论
总体来看，DMN1150UFB-7B是一款性能优越、应用广泛的N沟道MOSFET，凭借其较低的导通电阻、宽广的工作温度范围和小巧的封装设计，适合于各种电源管理和开关控制电路。其稳定性和可靠性使其成为现代电子设计中不可或缺的元件之一，尤其在功耗敏感的应用环境中，能够有效提升系统的整体效率。这款MOSFET无疑将助力工程师在高效能电路设计上的推广与应用。