DMG8601UFG-7
DMG8601UFG-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.1A |
| 栅源极阈值电压 | 1.05V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 23mΩ @ 6.5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 920mW | 类型 | 双N沟道(共漏) |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.1A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.05V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 143pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 920mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerUDFN | 供应商器件封装 | U-DFN3030-8 |
DMG8601UFG-7手册
DMG8601UFG-7概述
产品概述：DMG8601UFG-7
DMG8601UFG-7 是由 DIODES（美台）推出的一款高性能双N沟道场效应管（MOSFET），适用于低功耗和高频开关应用。该器件采用UDFN3030-8封装，并具备广泛的工作温度范围和出色的电气特性，是现代电子设备中不可或缺的重要元器件之一。
主要特性：
电压和电流性能：DMG8601UFG-7的漏源电压（Vdss）为20V，同时能够承受高达6.1A的连续漏极电流（Id）（在25°C条件下）。这一特性使其适合于许多需要低电压和中等电流的应用，尤其是在电源管理和信号调节电路中。
低导通电阻：该MOSFET在6.5A和4.5V时的漏源导通电阻最大为23mΩ。低导通电阻意味着在启用状态下，它能显著降低功耗和热量生成，提高整体电路的效率。这使得DMG8601UFG-7非常适于要求高效能、低热量的应用。
阈值电压与栅极电荷：该器件的栅源极阈值电压为1.05V（在250µA时测得），这表示该MOSFET可在较低的栅电压下实现开关操作。此外，DMG8601UFG-7的栅极电荷（Qg）最大值为8.8nC（在4.5V时），这表明其在快速开关时的充电和放电特性优秀，适合高频应用。
输入电容：在10V条件下，DMG8601UFG-7的输入电容（Ciss）最大值为143pF，这使得在快速切换时降低了电磁干扰（EMI）并提高了系统的稳定性。
功率耗散与热管理：器件的最大功率耗散为920mW（在环境温度25°C下）。这一高功率处理能力使得DMG8601UFG-7能够在严酷的应用条件下正常工作，同时配合适当的散热措施可进一步提升其工作性能。
应用领域：DMG8601UFG-7广泛应用于各种电子设备中，尤其是电源管理电路、DC-DC转换器、LED驱动器和电机驱动控制器等。其高效能和稳定性使其成为能量转换和控制器设计中的理想选择。
封装和安装方式：该MOSFET采用表面贴装型（SMD）设计，封装尺寸为UDFN3030-8。这种紧凑的封装使得在空间有限的电路板上集成变得更加方便，适应了当前电子产品小型化和高密度布局的需求。
工作温度范围：DMG8601UFG-7的工作温度范围从-55°C到150°C（TJ），使其能够在严苛的环境条件下稳定工作，适合汽车电子、工业控制等领域的应用。
总结：
综合以上信息，DMG8601UFG-7是一款性能卓越的双N沟道场效应管，具有良好的电流和电压特性，低导通电阻以及高功率处理能力，支持多种应用场景。其优越的工作环境适应性和体积小巧的封装设计，使其在现代电子产品中成为一种理想的选择。无论是新产品设计还是现有电路的优化，DMG8601UFG-7都能够提供持续的性能支持与优秀的系统稳定性，是工程师们的理想选择。