漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 4.6A |
栅源极阈值电压 | 1.2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 40mΩ @ 4.6A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.25W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.6A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 4.6A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.1nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 820pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 1.25W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-26 | 封装/外壳 | SOT-23-6 |
DMP2066LDM-7 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,主要用于广泛的电源管理和开关应用。其设计充分考虑了电气性能与热管理,以满足现代电子设备对功率和效率的严格要求。以下是本产品的详细介绍。
DMP2066LDM-7 采用 SOT-26 封装,这种表面贴装型(SMD)的设计使其在占用空间上极具优势,适合于各种密集型电路板的布局和设计。其封装类型不仅有助于简化自动化生产过程,也提高了器件的可靠性和稳定性。
DMP2066LDM-7 由 DIODES(美台)公司生产,作为行业内知名的半导体制造商,其产品以高质量和一致性著称。购买者可以通过官方渠道获得详细的产品数据手册和技术支持,确保能够充分利用该器件的性能。
DMP2066LDM-7 是一款性价比高、性能优越的 P 沟道 MOSFET,非常适合在现代电子设计中使用。无论是在电源管理还是信号开关应用中,它都能为设计工程师提供出色的解决方案与效能支持。凭借其卓越的电气性能和良好的热特性,DMP2066LDM-7 成为一款值得信赖的电子元器件选择。