DMP2022LSS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.388g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 10A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
5957(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.53按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.53
--
100+
￥1.18
--
1250+
￥1.02
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP2022LSS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A |
| 栅源极阈值电压 | 1.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 13mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56.9nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2444pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOP | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMP2022LSS-13手册
DMP2022LSS-13概述
产品概述：DMP2022LSS-13 MOSFET
概要
DMP2022LSS-13 是一款高性能的 P 通道增强型 MOSFET，针对各种中低功率应用场景而设计。其具有优良的电气特性和紧凑的 SO-8 封装，非常适合用在电源管理、负载开关和高速开关电路等电子设备中。该器件的设计使其在具有极低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关速度的同时，能够承受较高的漏极电压和电流。
关键参数
DMP2022LSS-13 的基础参数包括：
- 漏源电压（Vdss）: 最大 20V
- 连续漏极电流（Id）: 10A（在 25°C 时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.1V @ 250μA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 13mΩ @ 10A, 10V
- 最大功率耗散: 2.5W（在 Ta=25°C 下）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: 8-SOP（SO-8）
设计优势
低导通电阻: DMP2022LSS-13 的漏源导通电阻为 13mΩ，这是其杰出性能的体现，尤其是在需要较大电流的应用中，可以显著减少功耗和发热。
高连续漏极电流: 最大 10A 的连续漏极电流支持复杂的负载操作，能够满足大多数小型电源和开关应用的需求。
宽工作温度范围: 此 MOSFET 能够在 -55°C 到 150°C 的温度范围内可靠工作，适用于恶劣环境下的工业及汽车应用。
小型化封装: SO-8 封装形式使其适合表面贴装应用（SMD），从而节省了电路板空间，同时增强了电路的可靠性和抗干扰能力。
应用领域
DMP2022LSS-13 被广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 由于其低功耗和高效性能，常被用作电源开关和电源计量设备。
- 负载开关: 在需要转换或控制大电流负载的应用中，如电动机驱动器和电动工具等。
- 信号开关: 在音频设备、RF 通信设备等应用中，能够快速切换信号通路。
- 汽车电子: 高温稳定性使其适合用于汽车电子控制单元和其他汽车电气系统。
结论
DMP2022LSS-13 是一款表现优良、多用途的 P 通道 MOSFET，非常适合高效能和节能的电子设计方案。其低导通电阻、较高的连续漏极电流，以及广泛的工作温度范围使其成为开发和设计现代电子产品时的重要元件。此外，NOI可适用于大多数表面安装设备的设计，使其在市场上处于领先地位。无论是在电源、负载开关还是信号控制方面，DMP2022LSS-13 都能为设计师提供优越的产品性能和可靠性。