DMP10H4D2S-7

产品概述：DMP10H4D2S-7

基本信息

DMP10H4D2S-7 是一款高性能的 P沟道 MOSFET，专为各种电源管理和开关应用而设计。此器件由DIODES（美台）公司制造，采用表面贴装型封装（SOT-23），其优秀的电气性能和宽广的工作温度使其在现代电子设计中具有广泛的应用前景。

主要参数

• 连续漏极电流（Id）: 该器件在 25°C 环境下可持续输出 270mA 的漏极电流，确保在较高负载情况下依然可靠运行。
• 漏源电压（Vdss）: 最大漏源电压达到 100V，使其能够应用于高电压环境，适用于汽车电子、工业控制及消费类电子产品中的电源开关。
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250μA 的电流下，栅极阈值电压为 3V，提供灵敏的开关响应。
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 500mA 的电流和 10V 的偏置电压下，其最大导通电阻为 4.2Ω，确保了高效的电流导通，减少了能量损失。

驱动特性

为了确保 DMP10H4D2S-7 的良好开关能力，该器件在不同的栅源电压（Vgs）条件下表现出优秀的特性。最小驱动电压为 4V，最大驱动电压可达 10V，具备良好的适应性，适用于多种不同的控制电路。同时，该器件的栅极电荷 (Qg) 在 10V 的情况下最大为 1.8nC，这使得其在高频开关操作时也能保持较低的反应延迟。

热特性与功耗

DMP10H4D2S-7 的功率耗散在 25°C 时最大为 380mW，结合工作温度范围为 -55°C 到 150°C，使得该器件在各种恶劣环境下均能稳定运行。这一宽广的工作温度范围也使其适用于车载电子、气候监控系统以及其他要求高温或低温工作条件的应用。

电气特性

• 输入电容 (Ciss): 在 25V 的工作条件下，电容值最大为 87pF，这一较小的输入电容特性配合其快速的开关速度，使得 DMP10H4D2S-7 在数字电路和高频通信设备中表现出色。
• 栅源极极限电压: 器件的最大 Vgs 为 ±20V，提供了设计上的灵活性，并保证了对各种控制策略的兼容性。

封装与安装

DMP10H4D2S-7 采用 SOT-23 封装，具有占用空间小和良好的散热性能，适合现代电子产品对小型化和散热能力的要求。这种表面贴装的设计便于自动化生产，提高了制造效率，同时也降低了制造成本。

应用领域

DMP10H4D2S-7 适用于下列领域：

• 电源管理开关
• 电动机驱动控制
• 照明控制
• 汽车电子（如灯光控制、马达驱动等）
• 便携式电子设备
• 工业控制系统

总结

DMP10H4D2S-7 是一款性能优越、设计灵活的 P沟道 MOSFET，其高效能和优异的工作范围使得它在多种应用中具备了出色的竞争力。无论是在高电压开关、低功耗电源还是在高温环境下的工作，DMP10H4D2S-7 都能够提供可靠的解决方案，是电源管理和开关控制设计的理想选择。