DMN67D8L-7

产品概述：DMN67D8L-7

产品名称：DMN67D8L-7
类型：N-沟道 MOSFET
封装类型：SOT-23 (TO-236-3, SC-59)
品牌：DIODES (美台)

基本特性

DMN67D8L-7 是一款高性能的 N-沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），具备出色的电流承载能力和优良的开关性能。其基本电气参数如下：

• 漏源电压（Vdss）：最高可达 60V，适用于多种高压应用场景。
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，最大连续漏极电流为 210mA，能够满足大多数低功率电路的需求。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 2.5V（@ 250µA），说明该器件能在较低的栅电压下导通，适合低电压驱动。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）：在 500mA、10V 驱动下，Rds(on) 为 5Ω，表明该 MOSFET 在导通状态下存在较低的电阻，从而减少功耗和发热。

功率和热性能

DMN67D8L-7 的最大功率耗散为 340mW（在环境温度为 25°C 时），使得它非常适用于高效能和紧凑性设计的电路。该器件的工作温度范围在 -55°C 到 150°C 之间，极大地扩展了其应用领域，包括汽车、航空航天、工业控制等要求苛刻的环境。

驱动与控制

• 驱动电压：器件在最优性能下需要的驱动电压为 5V 和 10V，使其能够在多种控制电路中灵活应用。这一特性使 DMN67D8L-7 能够与常见的逻辑电平兼容。
• 栅极电荷（Qg）：高达 0.82nC（在 10V 下）的栅极电荷，适合高速开关应用。

电气特性

• 输入电容（Ciss）：在 25V 条件下的最大输入电容为 22pF，表明该器件在开关快的情况下能够有效地减小输入延迟，提高开关频率。
• Vgs（最大值）：该器件的栅源电压范围为 ±30V，提供了额外的设计灵活性，并增强了器件的抗干扰能力。

应用场景

DMN67D8L-7 很适合用于广泛的应用：

• 电源管理：可用于开关电源、LED驱动电源及逆变器等产品，确保高效能的电能转换。
• 信号开关：由于其低栅电压阈值，适用于信号开关应用，如音频开关和多路复用器，帮助实现信号传输的优化。
• 汽车电子：凭借高温等级，广泛应用于汽车电子系统中，如电机控制、功率控制和智能仪表。
• 工业控制：可应用于工业自动化设备中，如继电器替代、马达驱动等，提升能效和响应速度。

总结

DMN67D8L-7 N-沟道 MOSFET 是一款高可靠性、高效率的小型电子元件，凭借其众多优越的电气特性，适合于各种现代电子设备及电路设计。无论您是进行原型开发还是生产规模化，该器件都是实现优越性能的理想选择。它的紧凑封装与兼容的驱动电压设计，使得它在日益趋近小型化和集成化的电子市场中，展现出卓越的应用潜力。