DMN6140L-13
DMN6140L-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.6A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 140mΩ @ 1.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 700mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 140 毫欧 @ 1.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.6nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 315pF @ 40V | 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN6140L-13手册
DMN6140L-13概述
DMN6140L-13 产品概述
DMN6140L-13是一款高性能的N沟道MOSFET，采用SOT-23封装，广泛应用于需要高效电源管理和信号处理的电子电路中。该元件具备出色的电气性能和可靠性，适合于多种工业、电源和汽车类的应用。
主要参数
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的漏源电压等级为60V，能够承受自由状态下的高电压，适用于各种高电压开关电源和信号放大电路。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，其连续漏极电流达到1.6A，保证了其在实际应用中良好的导电能力和可靠的功率处理能力。
栅源极阈值电压: 栅源阈值电压为3V @ 250µA，显示出该MOSFET在较低的驱动电压下即可开启，方便与低电压控制电路兼容。
导通电阻: 在1.8A、10V的条件下，其漏源导通电阻（Rds(on)）为140毫欧，这个数值极低，有助于降低开关损耗，提高整体电能效率，适合高效能应用环境。
功率耗散: 在25°C环境下，设备最大功率耗散为700mW，说明其在高功率电流下的散热能力出色，有利于提升产品的整体稳定性和耐用性。
工作温度范围: DMN6140L-13的工作温度范围为-55°C至150°C，适应了极端环境的需求，确保在各种应用场合中的可靠性。
输入电容 (Ciss): 在40V时，输入电容的值为315pF，这影响了开关速度和响应时间，对于设计高效的开关电源尤为重要。
栅极电荷: 最大栅极电荷(Qg)为8.6nC @ 10V，表明该器件具备较快的开关特性，且便于实现高频率的开关控制。
应用领域
DMN6140L-13因其优良的电气特性而广泛应用于：
- 开关电源: 在DC-DC转换器和AC-DC转换器中用作开关元件，实现有效的电源管理。
- 电机驱动: 可在电机驱动电路中提供高效的开关性能，提升系统效率。
- 汽车电子: 在汽车电子系统中，用于高电流和高电压的开关控制，实现优良的功耗管理。
- 通讯设备: 在无线通讯及信号处理设备中用于高频开关和增益控制。
性能优势
高效能: 低导通电阻和出色的电流承载能力，使DMN6140L-13在多种工作条件下也能保持高效能，降低能量损耗。
宽广的工作温度范围: 大范围的工作温度使得该MOSFET特别适合严苛环境下的各种应用，保证了其长期稳定工作。
紧凑的封装: SOT-23封装使得该MOSFET能够轻松集成于各种紧凑型电路板设计，节省空间。
高可靠性: 基于现代半导体技术的DMN6140L-13提供了良好的电子特性和耐用性，适合需要高可靠性的应用。
总结
DMN6140L-13是一款功能强大、性能优异的N沟道MOSFET，凭借其高电流能力，优秀的开关性能和宽广的工作温度范围，已成为高效电源管理及信号处理应用中的理想选择。无论是在工业、汽车还是通讯领域，其出色的表现都使其成为电子设计师和工程师们信赖的关键组件。