DMN6040SSD-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.388g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.3W 60V 5A 2个N沟道 SOIC-8
库存 :
55490(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.12按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.12
--
100+
￥0.863
--
1250+
￥0.731
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN6040SSD-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 40mΩ @ 4.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1287pF @ 25V | 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SO |
DMN6040SSD-13手册
DMN6040SSD-13概述
产品概述：DMN6040SSD-13 60V 5A N-通道 MOSFET
一、产品简介
DMN6040SSD-13 是一种高性能 N-通道场效应晶体管（MOSFET），专为各种电子应用设计，具备出色的电气性能和可靠性。它采用 SO-8 封装，便于在表面贴装电路中应用。该器件最大可承受的漏源电压高达 60V，连续漏极电流可达 5A，极大地满足了中低功率需求设备的设计要求。
二、主要参数
- 漏源电压（Vdss）：60V，本产品可在高电压电源环境中稳定工作，非常适合于电动机驱动、电源管理和开关电源等应用场合。
- 连续漏极电流（Id）：5A，在 25°C 的工作环境下，表明其在高温环境下依然能保持较好的电流承载能力。
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250μA，这表明该 MOSFET 的工作逻辑电平较低，适合与3.3V或5V逻辑电平兼容的应用。
- 导通电阻（Rds(on)）：40mΩ @ 4.5A, 10V，这意味着在正常工作状态下，其电路损耗低，有利于提高系统的整体效率。
- 最大功率耗散：1.3W，这使得该器件适合在低到中功率应用中使用。
- 输入电容（Ciss）：1287pF @ 25V，确保了快速开关响应，加速了高频应用的性能。
三、工作温度及可靠性
本器件的工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端气候条件下稳定工作，适用于汽车电子、工业控制及其他要求高度可靠性的环境。
四、应用领域
DMN6040SSD-13 主要适用于以下场合：
- DC-DC 转换器：在电源转换应用中，作为开关元件发挥高效能和控制功耗。
- 电动机驱动：可用于直流电动机控制，如电动工具和电动车。
- 电源管理：在电源分配系统中，该 MOSFET 可用作保护和控制开关。
- 逻辑电平驱动：在逻辑电路中用作信号放大或开关。
五、封装与设计特点
DMN6040SSD-13 采用 SO-8 封装，更适合于高密度的 PCB 设计。小型化的封装既节省了空间，又易于实现高效的热管理。表面贴装设计（SMD）使其更适合现代电子产品生产线上的自动化焊接。
六、结论
综合以上特性，DMN6040SSD-13 是一款性能优异且适应性强的 N-通道 MOSFET，非常适合应用于各种电子设备，尤其是在对电流、功率和温度要求都较高的场合。随着对高效率和小型化设计需求的日益增加，该器件的应用前景广阔，适合于各类现代电子产品的开发与设计。在可靠性、热表现和电压等级等方面，DMN6040SSD-13 都展现出极高的优越性，使其成为工程师设计中不可或缺的关键组件。选用该 MOSFET，将极大提升设备的性能和可靠性。