DMN2400UFD-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
X1DFN12123
包装 :
编带
重量 :
0.04g
描述 :
场效应管(MOSFET) 400mW 20V 900mA 1个N沟道 X1-DFN1212-3
库存 :
2770(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
0.322按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.322
--
200+
￥0.208
--
1500+
￥0.181
--
3000+
￥0.16
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2400UFD-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 900mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 600mΩ @ 200mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 400mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 900mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 200mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 500nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 37pF @ 16V | 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | X1-DFN1212-3 | 封装/外壳 | 3-UDFN |
DMN2400UFD-7手册
DMN2400UFD-7概述
DMN2400UFD-7 产品概述
产品简介
DMN2400UFD-7 是一款高性能的N沟道MOSFET，属于DIODES（美台）品牌。其主要特性包括低漏源导通电阻、宽工作温度范围及高功率处理能力，使其在各种电子应用中都表现出色。这款MOSFET特别适合用于低电压、高电流的开关电路及线性调节器等领域，充分满足现代电子设备对能效和尺寸的高要求。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 最大20V，适合多种低电压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 最大900mA（在25°C环境下），为电路提供稳定的电流输出。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在4.5V Vgs下，600mΩ @ 200mA的低导通电阻减少了在开关过程中的能量损失，提升了整体系统效率。
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA，这保证了在较低电压下也能可靠导通，适合多种逻辑电平驱动电路。
- 栅电荷（Qg）: 500nC @ 4.5V，确保快速开关能力，适合高频应用。
- 输入电容（Ciss）: 37pF @ 16V，较低的输入电容使驱动电路的要求降低，适合搭配各类微控制器及驱动电路。
- 工作温度范围: 从-55°C至150°C，尤其适合于极端环境下工作的应用。
封装与安装
DMN2400UFD-7采用X1-DFN1212-3封装，尺寸为3-UDFN，具有表面贴装性质。这种封装形式不仅减小了占用空间，还提供更好的散热性能，适合在高密度电路板设计中使用。此外，表面贴装技术（SMT）也使自动化生产与组装变得更加高效、灵活。
应用领域
DMN2400UFD-7广泛适用于以下几类应用：
- 电流开关与电源管理: 适用于DC-DC转换器、线性调节器等场合，提供高效的电力控制。
- 电机驱动器: 能为电机控制及驱动 circuitry 提供高效支持，适合智能家居及工业自动化产品。
- LED驱动电路: 其低导通电阻可用于高效驱动LED，提供稳定的光输出。
- 通讯设备: 在移动通讯和网络设备中，这种MOSFET可以帮助确保信号的快速切换和处理。
竞争优势
DMN2400UFD-7相比于市场上的同类产品，展现出更低的导通电阻和较低的栅极驱动电压，这使得它在能效和响应速度上具备显著优势。此外，较宽的工作温度范围及小巧的封装设计使其能够在更为苛刻的工业环境下正常工作，为设计工程师提供了极大的灵活性。
总结
总体来说，DMN2400UFD-7是一款功能强大、效率高、适用广泛的N沟道MOSFET，秉承了DIODES（美台）一贯的高品质标准和创新精神。无论是在电源管理、电机控制还是LED驱动等应用场景中，该产品都能成为设计师的理想选择，助力推动各类电子设备的高效能与小型化。